SK hynix 000660.KS [KR]
SK hynix（000660.KS） · KR 在 21 個供應鏈節點被引用，跨 16 個主題：AI 晶片新創、AI 大容量儲存、ASIC、晶片測試、記憶體內運算、CoWoS、DRAM/CXL、Edge AI、HBM、氦氣斷供、混合鍵合/TCB 設備、半導體材料、NAND / eSSD、AI 算力雲、半導體前段設備、導熱介面材料 TIM。
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- QLC 企業級 SSD（替代 HDD） 市佔／地位：企業 SSD 市佔 30.2%(4Q25)、超高容量 QLC 領導
領導者：Solidigm 專攻超高容量 QLC、60/122TB 出貨中、244TB 規劃 2026 底；SK 集團 4Q25 企業 SSD 市佔升至 30.2%(季增最快)、1Q26 營收$46.4億(次於 Samsung)、2Q26 NAND 市佔 18.2% 居第二；⚑2026/8/12 揭露一個本檔先前缺少的地緣天花板：Solidigm 大連二廠規劃約 5 萬片/月（約一廠 10 萬片/月的一半）、2026/11 開始進機、2027 上半年投產，⚠但受美國出口管制，大連僅能生產 100 層級（sub-200 層）NAND，375 層先進製程須留在韓國清州——這直接侷限其大連產能能做多高容量的 SSD，是超高容量 QLC 領先地位的隱性風險
- 先進封裝 CoWoS / HBM 整合 市佔／地位：HBM 寡占主供
HBM 三強中對 XPU 供 12/16-Hi HBM3E→HBM4 堆疊，SK 海力士市占領先、供先進 XPU 記憶體；HBM 與 CoWoS 並列 AI 鏈最硬瓶頸，是每顆 XPU 良率與頻寬的單點(詳見 HBM 主題)
- HBM 高頻寬記憶體 市佔／地位：2026 bit ~50%（由 59% 降）
Nvidia 主供；2026 bit-share 由 59% 收斂至 ~50%、三星追近
- DRAM 原廠（三強寡占） 市佔／地位：1Q26 DRAM 28.8%
1Q26 DRAM 營收 $27.98B +62.5% QoQ；整體營益率 ~72% 創紀錄 市佔／地位：server DRAM 主供
1Q26 砍確認配額 30%，雲端訂單滿足率僅 ~70%；server DRAM 1Q26 +逾60% QoQ - CXL 記憶體控制器（新賽道） 市佔／地位：CXL 模組原廠+自研控制器
2026/6 HPE Discover 展出第二代 256GB CXL 3.2 模組（單代容量翻倍）並自研 CXL 3.0/3.1 控制器
- LPDDR5X 記憶體 市佔／地位：DRAM 28.8%(Q1'26)
DRAM 全球第二(~29%)、HBM 第一(~56%)；先進製程與獲利率三強最佳，LPDDR5X 供 Apple 供應鏈/三星/小米/OPPO/vivo，HBM 排擠使行動記憶體同步收緊漲價
- HBM DRAM 晶粒製造 市佔／地位：領先
HBM DRAM die 技術領導、良率最佳，HBM3E 12-hi/HBM4 16-hi 主供 NVIDIA，cell+TSV 自製決定容量與頻寬 - 晶粒堆疊與鍵合方式 市佔／地位：MR-MUF 路線
一次回流模封底填、散熱與良率佳，綁定 Namics 樹脂+Resonac EMC，HBM4 16-hi 仍主推此路線 - HBM 成品（三強市佔） 市佔／地位：1Q26 ~58%（自 ~62% 略降）；2026 全年估降至 ~43%
NVIDIA 主供、技術領導；1Q26 市佔約 58%（較先前 ~62% 略降，Samsung/Micron 各約 21% 分食）；2026 全年估再降至 ~43%；Vera Rubin HBM4 配額 ~60–70%；⚑2026/7/29 公布 2Q26 再創新高但不如預期：營收 ₩79.32 兆、營業利益 ₩60.54 兆（營益率 76%、+61% QoQ／+557% YoY）、淨利 ₩93.92 兆，惟低於市場預期（OP ₩64 兆／營收 ₩84 兆）而股價下跌——⚠這是本輪記憶體超級循環中第一次「創新高卻不夠好」的訊號，說明市場預期已跑在基本面前面；HBM4 已於 Q2 開始大量出貨、H2 加速爬坡；期末淨現金 ₩69.4 兆；⚑2026/8/27-28 於美國印第安納州 West Lafayette 動土（投資逾 $40 億、CHIPS 補助 $4.58 億），做韓國前段 HBM 晶圓的先進封裝與可靠度測試，無塵室 2028/10 完工、HBM4E 2029 Q3 量產，執行長郭魯正稱供給將緊到 2030；1Q26 創歷史紀錄（營收 52.58 兆韓元首破 50 兆、營業利益 37.61 兆韓元 YoY +405%、營益率 72%）、未來三年客戶 HBM 需求已超過規劃產能；2026/6/18 HBM4E 12H 48GB 樣品提前出貨（16Gbps、耐熱 +17% vs HBM4、Advanced MR-MUF），並評估改用 TSMC 3nm logic die 反超 Samsung；2026/6/24 董事會（6 名外部董事全到）決議發行 ADR 赴 Nasdaq（代號 SKHY、每股 10 ADR、~7/10 掛牌、募資 ~$29.6B/1,779 萬新股，資金用於 HBM 新線/龍仁廠/先進封裝）；★2026/6/23-24 策略轉向：因 NVIDIA 2026 Rubin HBM 配額已全鎖定，刻意放慢 HBM4 爬坡、延後部分 HBM3E 線轉 HBM4，改投高利潤 DDR5（DDR5 營益率估近 90%、DRAM 合約價 1Q26 季增 90-95%、2Q26 再 +58-63%），讓 Samsung 去搶 HBM4 份額、自己賺缺貨財
- 前段製程材料總成 市佔／地位：記憶體/邏輯用戶
全球 DRAM/HBM 雙雄、拉動 high-k 前驅物(ADEKA)與 EUV 光阻用量；扶植 SK Materials/Soulbrain/DNF 等韓系材料自主供應鏈 - 晶圓代工 / OSAT / 終端需求 市佔／地位：IDM 用戶
全球 IDM 邏輯/DRAM/HBM 用戶、三星拉動 ADEKA high-k、海力士拉動 EUV 光阻與 NCF；扶植韓系(SK Materials/Soulbrain)去日化，是亞洲前段材料第二拉貨源
- NAND Flash 原廠 市佔／地位：1Q26 NAND 17.6%
1Q26 營收 KRW 52.6 兆 +198% YoY、營益率 72%；NAND ASP +mid-70% QoQ；6/24 宣布最高約 $29B Nasdaq ADR 案、目標 7/10 掛牌（BofA/Citi/GS/JPM 主辦，規模超越阿里巴巴／沙烏地 Aramco）；6/11 公布路線圖：375 層 NAND 年底量產（導入鉬金屬）、2034 晶圓產能三倍（龍仁 4 廠、首廠 2027 初投產）
- GPU / 加速器供給 市佔／地位：HBM 近寡占主供
Blackwell/Rubin GPU 的 HBM 唯一足量供應者、對 NVIDIA 近獨供，HBM 產能直接封頂 neocloud 可租 GPU 數(詳見 hbm 主題)
- 晶圓代工 / IDM / 記憶體廠 Capex 市佔／地位：HBM ~50-55% 龍頭
全球 HBM 龍頭(~50-55%)，握 Nvidia Vera Rubin HBM4 約七成訂單，是 AI 記憶體最大受益者；為 HBM4/1c DRAM 擴產大舉上修設備 capex(1c 產能 2026 底衝 8-9 倍)，成 ASML/AMAT/Lam 記憶體端關鍵成長引擎