JX Advanced Metals 5016.T [JP]
JX Advanced Metals（5016.T） · JP 在 7 個供應鏈節點被引用，跨 7 個主題：先進製程、銅與電氣化金屬、CoWoS、半導體材料、矽光子雷射源、矽光子、IC基板。
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- 濺鍍靶材 / 石英件 市佔／地位：高純靶材龍頭
半導體高純濺鍍靶材全球龍頭，供 GAA 金屬閘極/內連線 PVD 用超高純 Cu/Ta/Co 靶，供 TSMC/Samsung/Intel，JX+Tosoh+Honeywell ~35%、前六 ~60%
- 濺鍍靶材 市佔／地位：半導體靶材 ~60% 全球第一
領導(近獨大)：半導體濺鍍靶材全球龍頭、公司自陳約 60% 全球市佔(2025/3 東京 IPO)；供先進金屬化/阻障/晶種層，高純度(6N+)與擴散接合背板技術為門檻，綁定台積電/三星等先進 fab
- III-V 磊晶 / InP 基板 市佔／地位：InP 基板 ~13%
InP 基板日系第三供給(~13%)，與住友/AXT 合計控 >90%，是雷射/PD 磊晶用 InP 晶圓寡占的第三根支柱
- 銅箔 / 化學 / 乾膜 市佔／地位：HVLP 銅箔領先
日系高階載板銅箔寡占雙雄、HVLP 極低粗糙度銅箔為高頻高速訊號完整性關鍵，供 CCL 三雄與日台載板廠，高層數 ABF 薄化需求下難替代