半導體材料供應鏈
Semiconductor Materials — 晶片製造的「血液」，涵蓋矽晶圓、光阻、CMP 耗材、濺鍍靶材、電子特氣、ALD/CVD 前驅物、濕化學品、光罩坯料/pellicle，到封裝端 EMC/ABF 膜/底填/銲料。日廠在最上游近乎壟斷（信越+SUMCO 矽晶圓 ~54%、TOK/JSR EUV 光阻 >95%、味之素 ABF 膜 ~95%、Hoya EUV 光罩坯料 >75%），台/中廠則在 CMP、靶材、濕化學、特氣力推本土替代。2nm/HBM/CoWoS 拉動高階材料需求。
← 回 半導體硬體供應鏈 主題列表 · 回首頁
EMC / 底填 / NCF EMC · Underfill · NCF
封裝成型材料：環氧封裝材（EMC）、毛細/模封底填（underfill/MUF）、非導電膜（NCF）、ACF。
EMC 日廠主導：住友電木（~18–20%）、Resonac（~10%）、Panasonic 三強約四成；台廠長春供應。底填 Namics(DIC)/Henkel/住友主導；NCF/ACF 由 Dexerials/Toray/Namics 寡占（HBM 堆疊與 CoWoS 關鍵）。AI/HBM 推升高導熱底填與 NCF 需求。
資料來源
PSPI / 銲料 / 電鍍化學 PSPI · Solder · Plating
先進封裝關鍵材料：PSPI/RDL 介電膜、微焊球/銲膏、Cu pillar 電鍍化學、晶圓級液態封裝材（LMC）。
PSPI（感光性聚醯亞胺，RDL 介電）旭化成 PIMEL/Toray/HD MicroSystems 前五 ~71%、2025 缺料無全面替代；微凸塊銲料千住金屬/昇貿/Indium；電鍍化學 MKS Atotech/上村/DuPont；晶圓級液態封裝材台廠長興（TSMC CoWoS LMC）。AI 先進封裝（CoWoS/FOPLP/PLP）拉動 RDL 介電與銅電鍍用量。
資料來源
載板核心材料 (BT/CCL) Substrate Core (BT/CCL)
封裝載板核心材料：ABF 增層膜、BT 樹脂/prepreg、高速 CCL（覆銅板）、玻璃布。
ABF 膜味之素 ~95% 絕對獨佔（最深單點）；BT 樹脂三菱瓦斯化學（MGC）主導；高速 CCL 由 Panasonic/Isola/台光電/聯茂主導（AI 伺服器 M8/M9 等級高速材料）；玻璃布日東紡（Nittobo，Low-Dk 玻纖布近寡占、AI PCB 關鍵）。AI 載板/PCB 推升超低損耗材料。
資料來源
切割膠帶 / 引線 / 散熱介面 Dicing Tape · Wire · TIM
封裝耗材：晶圓切割/貼膜膠帶（DAF/dicing tape）、打線金/銅線、晶片黏著、散熱介面材（TIM）、暫時鍵合膠。
切割/DAF 膠帶日東電工（Nitto）/古河/Lintec 主導；打線材田中貴金屬/賀利氏（金線/銅線）；DAF 日立化成(Resonac)/Henkel；TIM Henkel/信越/Dow；暫時鍵合膠 Brewer Science。屬量大穩定耗材，台廠多為代理/二次加工。AI 封裝推升高導熱 TIM 與低翹曲 DAF。
資料來源
多晶矽 / 石英 / 高純原料 Polysilicon · Quartz · Raw
電子級多晶矽（EG-poly，11N）、高純石英砂/坩堝、超高純金屬與氣體前體，是晶圓與材料的最上游。
電子級多晶矽（半導體用，純度遠高於太陽能級）由 Wacker、信越（德山 Tokuyama）、OCI 等少數廠供應；高純石英砂（IOTA）由美 Sibelco/挪威 TQC 近寡占；中系大全/協鑫切入電子級。半導體級石英坩堝為晶圓拉晶關鍵耗材。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
|---|
| [DE] Wacker Chemie (WCH.DE) | 電子級多晶矽龍頭 | 半導體級多晶矽主力 |
| [JP] 德山 Tokuyama / 信越 (4043.T / 4063.T) | EG-poly | 日系高純原料 |
| [KR] OCI (010060.KS) | 半導體級 poly | 韓系 |
| [EU] Sibelco / TQC (— / —) | 高純石英砂近寡占 | 拉晶耗材（未上市） |
| [CN] 大全能源 / 協鑫 (688303.SS / 03800.HK) | 電子級切入 | 本土替代 |
資料來源
矽晶圓 / 磊晶晶圓 Silicon Wafer · Epi
晶片的基板——12 吋（300mm）拋光/磊晶矽晶圓；前五大近寡占，日廠雙雄主導。
前五大（信越/SUMCO/環球晶/Siltronic/SK Siltron）約占 300mm 價值 ~80%；信越+SUMCO 兩日廠合計 ~54%（雙占咽喉、換供應商需數年認證）。環球晶為最大台廠（含併 Siltronic 案後仍獨立）。中系滬硅產業/立昂微推本土 300mm 替代但高階仍落後。
資料來源
前段製程材料總成 Front-end Process Materials
晶圓在晶圓廠（fab）內歷經沉積→微影→蝕刻→CMP→清洗，所需的光阻、特氣、前驅物、靶材、CMP 耗材、濕化學的總成節點（細項見上下游 rail）。
前段材料占半導體材料市場約六成，日廠在光阻/前驅物/特氣高度集中（如 EUV 光阻日系 >95%）；台積電在台/美/日在地化，帶動台廠（達興/長春/三福）與台設靶材廠卡位；中系藉 2025 出口管制與國產化加速替代。2nm（GAA）與高階 DRAM 推升 high-k 前驅物、特氣與光阻用量。
資料來源
封裝材料總成 Packaging Materials
晶圓切割後進入封裝，所需的 ABF 載板膜/BT 樹脂、EMC 環氧封膠、底填/NCF、銲料微凸塊、PSPI 介電、晶圓級液態封裝材的總成節點（細項見下游 rail）。
封裝材料約占材料市場四成，日廠主導（味之素 ABF 膜 ~95%、住友電木 EMC、旭化成 PSPI）。AI/HBM/CoWoS 推升高階 ABF、底填、NCF、PSPI 需求並造成 2025 局部缺料；台廠長春/長興、台光電（CCL）為配套。詳見 CoWoS 主題的封裝材料節點。
資料來源
化合物 / 特殊基板 Compound · Specialty Substrate
SiC（碳化矽）、GaN（氮化鎵）、InP、藍寶石等化合物半導體與特殊基板，供功率/射頻/光電元件。
SiC 基板 2024 Wolfspeed ~33.7% 居首，中系天岳先進(SICC)~17.3%、天科合達(TanKeBlue)~17.1% 二三名快速崛起，Coherent ~13.9%；2025 軟需求/供過於求壓力。SiC 龍頭多在虧損/重整（Wolfspeed 2025/9 脫離 Ch.11、債務-70%）。GaN-on-Si 由穩懋/IQE/Soitec QST 布局；InP 基板住友/AXT/JX 三強控 >90%（見矽光子）。環球晶/SK Siltron CSS 切入 SiC。
資料來源
晶圓代工 / OSAT / 終端需求 Foundry · OSAT (Demand)
半導體材料的最終買家：晶圓代工（前段材料）、OSAT/IDM 封測（封裝材料），背後是 AI/HPC、車用、消費終端需求。
全球半導體材料市場 2025 約 700 億美元（前段+封裝），台灣連續多年為最大材料消費地（占 ~25%，因台積電在地化）。AI/HBM/先進封裝拉動高階材料（EUV 光阻、high-k 前驅物、ABF 膜、PSPI、底填）；成熟製程與車用支撐特氣/濕化學量。
資料來源
光阻 / 顯影 / BARC Photoresist · Developer
微影核心材料——ArF/KrF/EUV 光阻、顯影液、抗反射層（BARC）、EBR 邊緣去膠。
全球光阻日系 >90%、高階 EUV 光阻日系 >95%（TOK ~30% 整體第一、JSR+信越合計近 40%、Fujifilm/住友化學/DuPont 補）。JSR 為 EUV 光阻技術領導（2024 被日本政府基金 JIC 私有化、保護國家戰略材料）。中系南大光電/彤程新材/晶瑞推 KrF/ArF 本土替代、EUV 仍空白。
資料來源
電子特氣 / 大宗氣體 Specialty & Bulk Gases
蝕刻/沉積/摻雜用電子特氣（NF₃、WF₆、含氟氣體、矽烷、摻雜氣）與大宗氣體（N₂/H₂/Ar/He）。
四大工業氣體 Linde/Air Products/Air Liquide/大陽日酸（Nippon Sanso）主導，前三合計 >35%；特氣含氟由 Merck/關東電化/SK specialty 補。台廠聯華林德（Linde 合資）、亞東工業氣體；中系華特氣體（國產特氣龍頭）、金宏氣體、南大光電（前驅物兼特氣）力推本土替代（2025 含鎵/鍺出口管制加速國產化）。
資料來源
ALD/CVD 前驅物 / high-k ALD/CVD Precursors
原子層/化學氣相沉積用金屬有機前驅物（Hf/Zr high-k、W、Ti/Ta 阻障、Mo、SiN 前驅物）。
Merck（~21%）整體第一、Air Liquide（~16%）次之，供 >1,200 配方；韓系 SK Materials/DNF/Soulbrain/Hansol 為三星/海力士配套大宗；ADEKA（日）high-k 強；台廠（UP Chemical 被韓收）量小。中系雅克科技（前驅物 + 電子特氣 + LDS 光刻膠平台）、南大光電本土替代。2nm GAA 與高階 DRAM 推升 high-k 用量。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
|---|
| [DE] Merck (EMD) (MRK.DE) | 前驅物 ~21% | 全球第一、1,200+ 配方 |
| [FR] Air Liquide (AI.PA) | ~16% | 6N 純度 |
| [JP] ADEKA (4401.T) | high-k 強 | 日系高階 |
| [KR] SK Materials / DNF / Soulbrain (— / 092070.KQ / 357780.KQ) | 韓系配套 | 三星/海力士供應鏈 |
| [CN] 雅克科技 / 南大光電 (002409.SZ / 300346.SZ) | 本土替代 | 中系平台型 |
資料來源
濺鍍靶材 Sputtering Targets
PVD 濺鍍用高純金屬靶材（Cu/Al/Ti/Ta/W/Co/Ru），用於金屬化、阻障、晶種與 RDL/TSV。
日系 JX Advanced Metals（前 JX 金屬，2025 上市，半導體靶材全球領導）、日礦/三井金屬、美系 Honeywell/Materion 主導高階；台廠光洋應材（再生靶材+靶材，供台積電）；中系江豐電子（國產靶材龍頭、12 吋高階突破）、隆運/有研新材。半導體靶材純度與背板技術門檻高。
資料來源
CMP 研磨液 / 研磨墊 CMP Slurry · Pad
化學機械研磨耗材：研磨液（slurry）、研磨墊（pad）、鑽石碟、保持環。
Pad 由 DuPont ~66% 領導（單點）；slurry 較分散——Entegris（併 Cabot/CMC，整體 ~23%）、DuPont（~22%）、Fujimi（~18-20%）、Resonac、JSR，前五 ~64%；Cabot 在各先進節點全認證、嵌入 TSMC/三星。中系安集科技（國產 slurry 龍頭）、鼎龍股份（CMP pad 國產第一）力推替代；台廠中砂（鑽石碟/保持環/再生晶圓）。
資料來源
濕化學品 / 雙氧水 / 蝕刻液 Wet Chemicals · H2O2 · Etchants
高純濕化學品：雙氧水（H₂O₂）、硫酸/氫氟酸/磷酸蝕刻液、TMAH 顯影液、剝離液、SC-1/SC-2 清洗液。
高量低值、運輸半徑短 → 強在地化。國際巨頭 BASF/三菱化學/Stella；台廠達興材料（友達系，光阻剝離/選擇比蝕刻/雷射釋放層，半導體比重續增）、三福化工（TSMC CoWoS 特化、TMAH 回收）、勝一（電子級溶劑）、國精化（雙氧水）。中系晶瑞電子材料（超純化學/雙氧水）、格林達（TMAH 顯影液）、鑫科材料力推國產替代。
資料來源
光罩坯料 / 光罩 / pellicle Mask Blank · Photomask · Pellicle
微影最上游——光罩坯料（mask blank）、空白/成品光罩（photomask）、防塵薄膜（pellicle）。
EUV 光罩坯料僅 Hoya（>75%）、AGC 二家商業供貨、信越供 DUV 坯料（坯料咽喉單點）；商售光罩 Toppan/DNP/Photronics 三強；EUV pellicle 由三井化學（ASML 授權、全球首家量產）獨家，信越/韓 S&S Tech 補（三家 ~70–80%），三井下世代 CNT pellicle 攻 600W+ 高功率。中系路維光電/清溢光電做中低階光罩本土替代。
資料來源