Micron MU [US]
Micron（MU） · US 在 18 個供應鏈節點被引用，跨 15 個主題：AI 晶片新創、AI 大容量儲存、ASIC、記憶體內運算、CoWoS、DRAM/CXL、Edge AI、HBM、混合鍵合/TCB 設備、印度電子製造、半導體材料、NAND / eSSD、半導體前段設備、電子特氣/WF6、導熱介面材料 TIM。
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- 上游：QLC NAND 晶圓 / SSD 控制器 市佔／地位：G9 QLC 領先一世代
G9 QLC 稱領先競品至少一世代、I/O 達 3.6 GB/s，為 6600 ION 245TB 的底料；NAND 泛論見 memory_storage - QLC 企業級 SSD（替代 HDD） 市佔／地位：企業 QLC 第三、G9 領先一世代
6600 ION 245TB 為全球最高容量商用 SSD(2026/5 出貨)、功耗僅同容量 HDD 一半；刻意減少消費 SSD 專注高毛利企業級
- 先進封裝 CoWoS / HBM 整合 市佔／地位：HBM 寡占主供
HBM 三強中對 XPU 供 12/16-Hi HBM3E→HBM4 堆疊，SK 海力士市占領先、供先進 XPU 記憶體；HBM 與 CoWoS 並列 AI 鏈最硬瓶頸，是每顆 XPU 良率與頻寬的單點(詳見 HBM 主題)
- HBM 高頻寬記憶體 市佔／地位：Q4'25 ~21%
HBM 全球第三、2026 bit-share 超越三星，唯一美系 HBM 供應者，Nvidia/AMD 認證、獲 Rubin HBM4 資格，地緣分散價值高
- DRAM 原廠（三強寡占） 市佔／地位：1Q26 DRAM 22.4%
FY26 Q3（~6/25 公布）營收 $41.5B 創高 YoY +346%、毛利率 ~84.9%、DRAM 營收 $31.3B 創高，FY Q4 指引 ~$50B；1Q26(日曆) DRAM 營收 $21.75B +81.6% QoQ；已完成 $1.8B 收購 PSMC 銅鑼 P5 廠，2H27 起貢獻 DRAM 產出
- LPDDR5X 記憶體 市佔／地位：DRAM ~22%
美系唯一；Q3 FY26（2026/6/25 公布）營收創紀錄 $41.5B（QoQ +74%、YoY +346%），毛利率 84.9% 史高，DRAM 營收 $31.3B（YoY +343%）；Q4 指引 $50B／毛利率 ~86%；已簽 16 份多年期 Strategic Customer Agreements（鎖定約 $100B 最低合約收入、涵蓋 ~20% DRAM 與至多 1/3 NAND 產量）；股價跳漲 ~13%
- HBM DRAM 晶粒製造 市佔／地位：第三
美系唯一 HBM DRAM 供應商，地緣供應鏈分散價值，HBM4 爬坡速度達 HBM3E 兩倍 - 晶粒堆疊與鍵合方式 市佔／地位：TC-NCF 路線
逐層熱壓非導電膜、綁定 Resonac NCF，堆疊層數受熱預算限制，是與 MR-MUF 對立的技術陣營 - HBM 成品（三強市佔） 市佔／地位：1Q26 ~21%（超越 Samsung 升第二）
美系唯一、押架構創新；Counterpoint 1Q26 bit 市占與 Samsung 並列 21%、正式超車三星；HBM4 16-hi 48GB 已送樣、速度 >11Gbps；FY26 Q2 營收 guide ~$18.7B（遠超共識 $14.2B），分析師（Rosenblatt）稱已從落後者升為 HBM4 領導競爭者；HBM4E base die 改委由 TSMC、2027 量產
- 前段製程材料總成 市佔／地位：美系用戶
美系邏輯/DRAM 用戶、CHIPS 法案下美國新 fab 帶動 Linde/Air Products/Entegris 在地供料，分散對亞洲材料的地緣依賴
- NAND Flash 原廠 市佔／地位：1Q26 NAND 13%
FQ3 FY26（6/24 公布）總營收 $41.5B 創高、NAND 營收 $9.9B +361% YoY／+99% QoQ（占營收 24%）、DC SSD >$5B 季增逾倍、毛利率 84.9% 創高；FQ4 指引約 $50B（遠超市場 $43.6B）；G9 NAND 為史上最大量產節點
- 晶圓代工 / IDM / 記憶體廠 Capex 市佔／地位：DRAM/NAND capex
美系記憶體擴產；Q3'FY26(6/24)營收創紀錄 $41.46B、HBM 2026 全數簽約，FY26 capex 上修至 ~$27B(原$25B)、FY27 建廠 capex 再 +$10B YoY；2026 DRAM 供需缺口 4.9% 為 15 年最嚴重