Lam Research LRCX [US]
Lam Research（LRCX） · US 在 12 個供應鏈節點被引用，跨 8 個主題：先進製程、CoWoS、玻璃基板、HBM、混合鍵合/TCB 設備、MEMS 感測器、半導體前段設備、電子特氣/WF6。
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- 蝕刻 Etch 市佔／地位：蝕刻 ~28%、ALE ~61%
原子層蝕刻(ALE ~61%)絕對領導，GAA 奈米片通道釋放贏率 ~42%，供三大晶圓廠高深寬比導體蝕刻、單點難替代 - 沉積 CVD/PVD/ALD/Epi 市佔／地位：介電/金屬
鎢字線與銅內連線填充沉積領導，ALTUS 鎢 ALD/SABRE 電鍍為先進節點金屬化必經，供 TSMC/Samsung/美光高深寬比填孔
- 蝕刻 / 沉積設備 市佔／地位：蝕刻整體 ~50%
先進節點導體蝕刻 >80% 近獨佔，TSV 深矽蝕刻主力設備，中介層垂直穿孔良率命脈，供 TSMC/三星，門檻在電漿製程 know-how 難替代 - TSV 矽穿孔製程 市佔／地位：蝕刻
TSV 深矽蝕刻（Bosch DRIE）主力設備商，先進節點蝕刻 >80%，穿孔垂直度與良率由其設備決定
- 沉積 CVD / PVD / ALD / Epi 市佔／地位：介電/金屬填充領先
蝕刻龍頭跨足沉積，以 ALTUS 鎢/鉬 ALD 與 SABRE 電鍍主攻 3D NAND 高深寬比金屬填充(gapfill)，供應記憶體大廠；蝕刻+沉積整合佈局讓其在 3D 化結構同時吃兩個環節、增值客戶良率 - 蝕刻 Etch / ALE 市佔／地位：蝕刻全球第一
電漿/原子層蝕刻(ALE)全球第一，3D NAND 高深寬比孔洞與 GAA 奈米片成形須靠其深槽蝕刻，供應台積電/三星/記憶體大廠、單源難替；Q3'FY26 $5.84B(QoQ+9%/YoY+24%)、EPS $1.47 雙超財測，惟中國占比 34% 為四強最高政策曝險
- 下游：晶圓廠製程（沉積／蝕刻／摻雜） 市佔／地位：鎢 ALD/CVD 沉積設備龍頭
首創低氟鎢 ALD(ALTUS Max E)，支援 3D NAND/DRAM 持續微縮——WF6 用量的設備端閘門