半導體前段設備供應鏈 (Wafer Fab Equipment)
Wafer Fab Equipment — 晶圓廠前段設備是 AI/2nm/HBM 資本支出的核心鏟子。五強寡占（ASML 光刻獨佔 EUV、Applied Materials WFE ~19% 最大廠、Lam 蝕刻龍頭、Tokyo Electron、KLA 製程控制 ~56%）+ 細分獨佔（Lasertec EUV 光罩檢測 ~90%、Disco 切割研磨 60-70%、ASM 單片 ALD >55%、VAT 真空閥 ~34%）。2026 WFE 上看 $135–154B、2027 達 $156–210B，AI 先進邏輯+HBM/DRAM+先進封裝三條 capex 齊揚，市場 re-rating 循環延到 2027-28。台日彈性標的辛耘/弘塑/家登/京鼎/Disco/SCREEN；中國國產北方華創/中微/ACM 六家合計占全球 WFE ~6.5% 並逐步上吃成熟製程份額。⚠ 高 beta 循環股，中國出口管制與國產替代是雙面刃。
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設備子系統 / 關鍵零組件 WFE Subsystems & Critical Components
真空閘閥、RF/DC 電源與匹配網路、氣體流量控制、靜電吸盤、乾式真空泵、運動控制——是所有 WFE OEM 的共同上游，景氣彈性常被低估。
設備子系統是約 $50B 的隱形市場，是五強設備廠的共同上游。VAT Group（CH，高真空閘閥 ~34% 全球領導、2025 營收 >CHF 9 億）、MKS Instruments（US，氣體輸送/RF 電源/流量控制，2024 半導體相關營收約 $1.8B）、Advanced Energy（US，RF/DC 電源與匹配網路，直接對撼 MKS）、Edwards Vacuum（Atlas Copco 旗下，乾式真空泵領導）、Ichor Systems（US，整合氣路模組）、Horiba（JP，質量流量計）、Pfeiffer Vacuum（DE，渦輪分子泵）。絃外之音：ASML 的真正鎖喉在更上游的 Carl Zeiss SMT（光學）與 TRUMPF（CO₂ 雷射）——子系統層才是設備鏈最深的單點。
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微影 EUV / High-NA / DUV Lithography (EUV · High-NA · DUV)
把電路圖形轉印到晶圓的曝光設備——EUV/High-NA（2nm 以下唯一手段）與浸潤式 DUV（多重曝光），是整條 WFE 鏈最深、價值量最高的單點。
ASML 100% 獨佔 EUV（NXE / High-NA EXE:5200），是 2nm 以下圖形化的唯一手段；浸潤式 DUV 也由 ASML 主導（>60%），Nikon/Canon 補位。Q1'26 營收 €8.8B（EUV 系統單季 >€4.1B、含 2 台 High-NA），記憶體佔系統營收 51%（DRAM 客戶加速採用 EUV）；2026 全年財測由 €34–39B 上修並收窄至 €36–40B、2030 模型 €44–60B；Low-NA EUV 2027 出貨目標上調至 ≥80 台（2026 ≥60、2025 出 44）。High-NA 早期客戶結構確立：EXE:5200B 首台量產機 2025Q4 出貨，Intel 14A 為首位採用者、SK Hynix 預計取得約 2 台用於次世代 DRAM，ASML 預期 2026Q2 內可見首批 High-NA 製造之記憶體/邏輯產品；TSMC 因 €350M+ 單價延後至 1.4nm 之後——顛覆『先進設備一定 TSMC 先買』直覺。中國 SMEE（上海微電子）i-line 僅 ~4%、最先進約 90nm DUV，仍落後數代。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
|---|
| [NL] ASML (ASML) | EUV 100% / DUV 浸潤式主導 | 2nm 以下無替代；Q1'26 €8.8B、記憶體佔系統 51%；2026 財測收窄至 €36–40B；EXE:5200B 首台 2025Q4 出貨、Intel 14A 首採、SK Hynix 約 2 台；TSMC 延後至 1.4nm 後；WF 6/22 拉目標價至 $2,200、估 EUV 年產能 2027 破 90 台、中國需求 2027 回升 |
| [JP] Nikon (7731.T) | DUV 替代源 | ASML 浸潤式主導下的替代源 |
| [JP] Canon (7751.T) | DUV / 奈米壓印 | 奈米壓印（NIL）另闢蹊徑 |
| [DE] Carl Zeiss SMT (—) | EUV 光學 sole-source | 未上市；無 Zeiss 無 EUV，比 ASML 更深的單點 |
| [DE] TRUMPF (—) | EUV CO₂ 驅動雷射唯一 | 未上市；EUV 光源最上游 sole-source |
| [CN] SMEE 上海微電子 (—) | i-line ~4% / 28nm DUV | 未上市；中國微影國產化主力，仍落後數代 |
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沉積 CVD / PVD / ALD / Epi Deposition
在晶圓表面沉積各式薄膜（CVD/PVD/ALD/磊晶 Epi）——GAA 閘極堆疊與 3D NAND/DRAM 結構使 ALD 步驟暴增，是 WFE intensity 上升最直接受惠的環節。
AMAT 為整體沉積龍頭（PVD/CVD/Epi 全線、Endura Trillium ALD）、FY2025 營收 $28.37B（WFE ~19% 最大廠）；Lam（介電/金屬填充、SABRE 電鍍）；TEL 補位；ALD 細分——ASM International 單片 ALD >55%（GAA 2nm 受惠，Q1'25 訂單 €834M）、Kokusai Electric 批次 ALD ~70%（高深寬比批次薄膜，3D NAND 300+ 層核心）。中國：拓荊（Piotech）切入 PECVD/ALD、北方華創 PVD/CVD 在地。3D NAND 往 300+ 層、3D DRAM 量產使沉積價值量結構性放大。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
|---|
| [US] Applied Materials (AMAT) | 沉積龍頭 / WFE ~19% | WFE 最大廠；FY2025 營收 $28.37B 創紀錄；2026 設備成長預期上修至 >30% |
| [NL] ASM International (ASM.AS) | 單片 ALD >55% | GAA 2nm 受惠；Q1'25 訂單 €834M(+14%) |
| [JP] Kokusai Electric (6525.T) | 批次 ALD ~70% | 高深寬比批次薄膜；3D NAND 核心 |
| [US] Lam Research (LRCX) | 介電/金屬填充 | Moly/Carbon gapfill 帶動 NAND 沉積出貨 |
| [JP] Tokyo Electron (8035.T) | 沉積補位 | FY2025 營收 ¥2.43T(+32.8%) |
| [CN] 拓荊 Piotech (688072.SS) | 中國 PECVD/ALD | 中國沉積國產化主力 |
| [CN] 北方華創 NAURA (002371.SZ) | 中國 PVD/CVD 在地 / 全球第 5 | 2025 全年營收升全球設備廠第 5、超越 KLA，首家擠進全球前五的中國廠（前四仍 ASML/AMAT/Lam/TEL）；惟本土低價+外商削價致毛利承壓 |
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蝕刻 Etch / ALE Etch
以電漿/原子層蝕刻（ALE）移除材料、刻出結構——GAA 奈米片成形與 3D NAND 高深寬比孔洞使蝕刻價值量大增。
Lam Research 蝕刻全球第一（導體/介電蝕刻、ALE 主力），Q3'FY26（截至 2026/3/29）營收 $5.84B（QoQ +9%、YoY +24%）、non-GAAP EPS $1.47 雙超財測，Lam 自估 2026 設備市場成長雙位數；AMAT（Sculpta ALE）、TEL（Tactras）強勢補位。中國：中微 AMEC 在介電蝕刻表現亮眼（2024 營收 ¥9.07B、+44.7%）、14nm 蝕刻機於 SMIC 驗證中，北方華創 ICP/矽蝕刻；中國蝕刻自給率已破雙位數。⚠ Lam 中國營收占比已自一度的 43% 降至 34%（前季 35%）、管理層指 6 月季續降，惟仍是四強中曝險偏高、最大政策風險。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
|---|
| [US] Lam Research (LRCX) | 蝕刻全球第一 | Q3'FY26 $5.84B(QoQ+9%/YoY+24%)、EPS $1.47 雙超財測；中國占比降至 34%(前季35%) |
| [JP] Tokyo Electron (8035.T) | 蝕刻第二/三強 | 蝕刻+塗顯雙料；FY2025 ¥2.43T |
| [US] Applied Materials (AMAT) | 蝕刻強勢 | GAA 成形；ALE ASP 顯著 |
| [CN] 中微 AMEC (688012.SS) | 中國介電蝕刻領先 | 2024 營收 ¥9.07B(+44.7%)；高階介電蝕刻常勝 NAURA；14nm 蝕刻機於 SMIC 驗證中 |
| [CN] 北方華創 NAURA (002371.SZ) | 中國 etch/depo ~25% | 中國 28nm+ 段領先；併購 Kingsemi 擴塗顯 |
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CMP / 離子植入 CMP & Ion Implantation
CMP（化學機械研磨平坦化）與離子植入（摻雜）——每層金屬/介電都需平坦化、每個電晶體都需摻雜，是製程剛需環節。
CMP：AMAT 71.3% + Ebara 26.7% = 雙雄壟斷 >90%（2025 市場約 $2.5–5B）；離子植入：AMAT（Varian）與 Axcelis 雙雄，為唯二具全系列植入產品的廠商。中國：華海清科（Hwatsing）CMP 五年內把中國份額拉升 8 個百分點，是中國 CMP 國產化代表。此環節循環性低於沉積/蝕刻，確定性較高。
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量檢測 / 製程控制 Metrology & Process Control
缺陷檢測、CD/薄膜/overlay 量測與 EUV 光罩檢測——是良率管理與 ≤7nm 量產前提，被視為設備族群中最確定的『不可殺死的訂閱』。
KLA 製程控制 ~56% 絕對龍頭（光學/e-beam 檢測、量測），FY2025 營收 $12.16B、foundry/logic 占系統營收 ~59%；製程控制整體市佔自 2021 以來 +360bp、約為次大對手 7 倍。HBM/AI 先進封裝形成新拉動：KLA 2026 先進封裝製程控制營收預估由 2025 的 $6.35 億『接近翻倍』至約 $10 億，並奪 2025 先進晶圓級封裝（WLP）製程控制第一。KLA 最不受中國出口管制衝擊、循環波動小於沉積/蝕刻（每片 wafer、每個 leading-edge fab 都要過 KLA），是 beta 最低標的。Lasertec（EUV actinic 光罩檢測 ~90% 唯一商用，無合格光罩檢測即不能量產 ≤7nm）。Onto Innovation、日立 High-Tech（CD-SEM）、ASML(HMI) e-beam 補位。中國：武漢精測（Wuhan Jingce）量檢測國產化。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
|---|
| [US] KLA (KLAC) | 製程控制 ~56%（自 2021 +360bp、約次大對手 7 倍） | FY2025 $12.16B；先進封裝製程控制 2026 由 $6.35 億『接近翻倍』至約 $10 億、奪 2025 WLP 製程控制第一；『不可殺死的訂閱』、最低中國曝險 |
| [JP] Lasertec (6920.T) | EUV 光罩檢測 ~90% | 唯一商用 actinic；≤7nm 量產鎖喉 |
| [US] Onto Innovation (ONTO) | 光學量測利基 | KLA 外替代源；先進封裝檢測 |
| [JP] 日立 High-Tech (6501.T) | CD-SEM 領導 | 關鍵尺寸量測利基 |
| [NL] ASML (HMI) (ASML) | e-beam 檢測 | 原台廠漢微科 Hermes Microvision |
| [CN] 武漢精測 Wuhan Jingce (300567.SZ) | 中國量檢測 | 中國記憶體擴產受惠國產化 |
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清洗 / 塗顯 / 熱處理 / 切割研磨 Clean · Track · Thermal · Dicing
晶圓清洗、塗佈顯影（coater/developer track）、退火熱處理與切割/研磨——台日設備廠最強勢的環節，且因先進封裝（CoWoS）爆量而成長最猛。
單片清洗：SCREEN（7735.T）+ TEL + Lam 合占 >82%；塗顯 track：TEL/SCREEN 雙雄；退火：Veeco/AMAT。切割/研磨：Disco（6146.T）60-70% 近獨佔，FY2025 營收 $2.6B(+22%)，先進封裝晶圓薄化/分割直接受惠。中國清洗：ACM Research（盛美，中國清洗領導）。台廠彈性軍團（CoWoS 受惠）：辛耘（3583，前八月 +20.6%、全年首破百億、自製設備+再生晶圓占比破五成）、京鼎（3413，Q3'25 營收 55.42 億創新高、EPS 6.10、EUV pod 自動化兩機種量產）、家登（3680，EUV 光罩盒 pod 全球領導、FOUP 份額快升、傳入列 CoPoS）。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
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| [JP] SCREEN Holdings (7735.T) | 單片清洗龍頭 / 塗顯雙雄 | 與 TEL/Lam 合占單片清洗 >82% |
| [JP] Disco (6146.T) | 切割/研磨 60-70% | FY2025 $2.6B(+22%)；先進封裝薄化/分割受惠 |
| [JP] Tokyo Electron (8035.T) | 塗顯/清洗雙雄 | 塗顯與 SCREEN 雙雄；FY2025 ¥2.43T |
| [US] ACM Research (ACMR) | 中國清洗領導 | 中國清洗國產化主力；記憶體擴產受惠 |
| [TW] 辛耘 Scientech (3583.TW) | 台廠濕製程/再生晶圓 | 前八月 +20.6%、全年首破百億；自製+再生占比破五成 |
| [TW] 京鼎 Foxsemicon (3413.TW) | 鴻海系設備代工/模組 | Q3'25 營收 55.42 億創新高、EPS 6.10；EUV pod 兩機種量產 |
| [TW] 家登 Gudeng (3680.TWO) | EUV 光罩盒 pod 全球領導 | FOUP 份額快升；傳入列 CoPoS 供應鏈；Q4 出貨高峰 |
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晶圓代工 / IDM / 記憶體廠 Capex Foundry · IDM · Memory Capex
晶圓代工、IDM 與記憶體廠的資本支出是 WFE 的需求端錨點——AI 先進邏輯（2nm/A16）、HBM/DRAM 與先進封裝三條 capex 同時擴張，驅動設備超級循環。
WFE 2026 經 Lam（4/22）與 KLA（4/29）財報同步上修至『$140B+ 且偏向更高』（原 SEMI $135.2B、Barclays $154B），2027 上看 $156–210B、Cantor 估 2029 達 $250B；兩家均預期 2027 成長再優於 2026，市場 re-rating『AI 循環延到 2027-2028』獲財報背書。⚡新訊(2026/06)：Wells Fargo 6/22 再上修 2027 WFE 至 ~$190B（原 $180B）、2028 至 ~$216B（原 $191B），並把 ASML 目標價拉至 $2,200、預期 ASML EUV 年產能 2027 可破 90 台且中國需求 2027 回升；Citi 樂觀情境估 2026 WFE ~$145B——分析師端 super-cycle 預估持續向上。需求端：TSMC（代工 ~70%、≤3nm 近獨佔、N2 量產、A16 背面供電）主導全球設備訂單節奏（如暫緩 High-NA 直接牽動 ASML）；Samsung/Intel 追趕 GAA；記憶體 SK Hynix/Samsung/Micron（DRAM+HBM、NAND 設備 2026 +12.7%→$15.7B）；中國 SMIC/CXMT/YMTC 受國產化政策強制扶植本土設備——在『新增產能須採購 >50% 國產設備』基礎上，傳設定 2027 年設備在地化 70% 目標（SMEE、NAURA 居前），惟微影仍為最大缺口。WFE intensity 隨製程微縮與 3D 化結構性上升。⚠ 2025 起中國經東南亞轉口的設備進口量激增、已超越自美直接出貨，成美荷日管制體系新規避通道；BIS 預計 2026 下半年才推出取代 AI Diffusion Rule 的新框架，管制不確定性升高，影響 Lam/AMAT/TEL 高中國曝險廠營收能見度。⚡新訊：美中達成貿易協議、BIS『50% 關聯方規則』(Affiliates Rule，原將管制延伸至清單實體持股 ≥50% 子公司) 暫緩實施一年至 2026/11/9——短期降低設備廠對中出貨額外受限風險，惟一年後仍可能重啟。⚠ 高 beta 循環股，capex 一旦放緩回檔劇烈。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
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| [TW] TSMC 台積電 (2330.TW) | 代工 ~70% / 設備最大買家 | 主導設備訂單節奏；2026/04 暫緩 High-NA 至 2029 |
| [KR] Samsung 三星 (005930.KS) | 代工+記憶體 capex | 首批 High-NA 早期客戶；記憶體擴產 |
| [US] Intel (INTC) | IDM capex | High-NA 早期採用者；IDM 2.0 擴產 |
| [KR] SK Hynix (000660.KS) | HBM/DRAM capex 龍頭 | HBM 擴產帶動 DRAM 設備 capex 上修 |
| [US] Micron (MU) | DRAM/NAND capex | 美系記憶體擴產；Q3'FY26(6/24)營收創紀錄 $41.46B、HBM 2026 全數簽約，FY26 capex 上修至 ~$27B(原$25B)、FY27 建廠 capex 再 +$10B YoY；2026 DRAM 供需缺口 4.9% 為 15 年最嚴重 |
| [HK] SMIC 中芯國際 (0981.HK) | 中國代工 / 國產設備驗證 | 受國產化政策扶植本土設備（50%→傳 2027 目標 70%）；AMEC 14nm 蝕刻機驗證中、NAURA 28nm 已量產 |
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