Applied Materials AMAT [US]
Applied Materials（AMAT） · US 在 19 個供應鏈節點被引用，跨 10 個主題：先進製程、中國半導體、CoWoS、CPO、玻璃基板、HBM、混合鍵合/TCB 設備、半導體前段設備、矽光子、電子特氣/WF6。
← 回首頁查看所有供應鏈主題
- 蝕刻 Etch 市佔／地位：蝕刻 ~32%
介電蝕刻龍頭，Sculpta 圖形塑形 ALE(ASP 約 3 倍)供 TSMC/Samsung 於 GAA 奈米片釋放通道，減少多重曝光步數 - 沉積 CVD/PVD/ALD/Epi 市佔／地位：沉積龍頭
GAA 閘極堆疊；已在多個次世代 GAA 邏輯 ALD 步驟取得 PoR，蠶食 ASM GAA 受惠敘事 - CMP + 離子植入 市佔／地位：CMP 第一/植入 ~63%
CMP 平坦化第一並以 Varian 掌離子植入 ~63% 近主導，GAA 精準摻雜與多層堆疊平坦化雙料鎖喉，供 TSMC/Samsung/Intel - 量測 / 檢測 市佔／地位：量檢測利基
KLA 外量檢測利基群，Onto 光學 CD/薄膜量測、日立 High-Tech 為 CD-SEM 關鍵維度量測要角，供先進晶圓廠分散 KLA 單一依賴、各據量測子項
- 蝕刻 / 沉積設備 市佔／地位：介電蝕刻 ~32%/沉積#1
介電蝕刻與沉積（PVD/CVD）雙料全球第一，TSV 襯墊/阻障/晶種層一站式供應，材料工程全製程覆蓋是最大護城河 - CMP / 電鍍設備 市佔／地位：CMP ~42%
CMP 平坦化全球第一（~42%），供中介層拋光與 TSV 銅填充電鍍，與 Ebara 雙雄約 69%，先進封裝表面平整度關鍵 - 混合鍵合 市佔／地位：整合式 d2w
以 Kinex 整合式 d2w hybrid bonder 切入混合鍵合，並入股 BESI 9%（2025/4）結盟，藉前段設備優勢卡位後段混合鍵合
- 晶圓鍵合 / 對位設備 市佔／地位：混合鍵合領先
BESI 與 AMAT 聯手主導 die-to-wafer 混合鍵合、良率與 throughput 領先，是 CPO 光引擎 3D 整合的替代鍵合路線
- DRAM 前段設備 市佔／地位：蝕刻 ~32%
沉積+蝕刻全製程最廣，供三強 DRAM 產線；1c nm 高深寬比電容不可或缺 - 混合鍵合設備 市佔／地位：整合製程
提供混合鍵合前段介面（CMP 平坦化+介電沉積）與 BESI 整合成套解決方案，控制鍵合良率關鍵
- 沉積 CVD / PVD / ALD / Epi 市佔／地位：沉積龍頭 / WFE ~19%
全球 WFE 最大廠(~19%)、PVD/CVD/Epi 全線沉積龍頭，供應 TSMC/Samsung/Intel/記憶體全體先進廠；沉積+蝕刻+CMP+植入整合佈局讓其能單廠通吃前段多環節、GAA/3D 化最直接受惠，FY2025 營收 $28.37B 創紀錄 - 蝕刻 Etch / ALE 市佔／地位：蝕刻強勢
WFE 最大廠、蝕刻第三強，以 Sculpta 圖形塑形 ALE 切入 GAA 奈米片成形，供應先進邏輯客戶；沉積+蝕刻+CMP+植入整合佈局讓其能綁定整條前段製程、提升客戶單廠設備滲透 - CMP / 離子植入 市佔／地位：CMP 71% / 植入雙雄
CMP 化學機械研磨全球 71%、離子植入(Varian)與 Axcelis 雙雄約 62%，兩大剛需環節皆龍頭，供應全球先進邏輯/記憶體廠；每層互連需 CMP 平坦化、每電晶體需植入摻雜，隨層數與微縮量放大，客戶難繞過
- 晶圓鍵合 / 雷射貼合設備 市佔／地位：hybrid bonding
供 D2W 混合鍵合前段沉積/鍵合模組並與 BESI 合作，是矽光異質整合設備寡占五強之一（SiPh 非主戰場）