先進製程（2nm GAA）供應鏈
Leading-edge Logic Process — 2nm/3nm GAA 邏輯製造，是半導體鎖喉點最密集的供應鏈。台積電 ≤3nm >90% 近乎獨佔；上游層層巢狀獨佔：ASML EUV→Zeiss 光學→Cymer 光源、Lasertec EUV 光罩檢測、AGC/Hoya 光罩基板、家登 EUV 光罩盒、日本 EUV 光阻、Arm CPU IP、Synopsys/Cadence EDA。所有設備/材料/設計工具最終匯流進入晶圓代工。
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EUV / High-NA / DUV 微影 EUV · High-NA · DUV Litho
2nm 以下圖形化的唯一手段（EUV/High-NA），與多重曝光的浸潤式 DUV。
ASML 100% 獨佔 EUV，且光學（Carl Zeiss SMT 唯一供應）、光源等離子模組（Cymer，2013 被 ASML 收購）、CO₂ 驅動雷射（TRUMPF 全球唯一）層層 sole-source——四層巢狀獨佔，是整條供應鏈最深、最不可替代的鎖喉；DUV 則 ASML/Nikon/Canon 寡占。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
|---|
| [EU] ASML (ASML) | EUV 100% | 2nm 以下無可替代 |
| [EU] Carl Zeiss SMT (—) | 光學 sole-source | 最隱形單點，無 Zeiss 無 EUV |
| [EU] TRUMPF (—) | CO₂ 驅動雷射唯一 | 比 Cymer 更上游的 sole-source（第四層） |
| [US] Cymer (ASML) (—) | 光源 captive | ASML 鎖定光源命脈 |
| [JP] Nikon / Canon (7731.T / 7751.T) | DUV 寡占（ASML 主導） | ASML 浸潤式 >60%；Nikon/Canon 替代源 |
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蝕刻 Etch Etch
GAA 奈米片成形所需的高選擇性蝕刻與原子層蝕刻（ALE），釋放通道、價值量大增。
AMAT+Lam+TEL 控蝕刻 ~75%；Lam ALE 約 60.9%（GAA win 42%）、AMAT Sculpta ALE（ASP 3x），GAA 直接受惠。
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沉積 CVD/PVD/ALD/Epi Deposition
GAA 須更高強度的 ALD（原子層沉積）與 Epi 磊晶；薄膜沉積是 GAA 閘極堆疊核心。
ASM International 單片 ALD >55%、2nm GAA 節點 >55%，是 GAA 最直接受惠者；AMAT（金屬 ALD/PVD/CVD/Epi）、Lam（W ALD/電鍍）、Kokusai（批次 ALD）競逐。
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CMP + 離子植入 CMP + Ion Implant
化學機械研磨（CMP）平坦化與離子植入摻雜。
CMP 由 AMAT（第一）與 Ebara（第二）雙雄；離子植入 AMAT（Varian ~62.65%）近主導、Axcelis（~21.19%）第二、住友重機第三。
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量測 / 檢測 Metrology · Inspection
缺陷檢測、CD/薄膜/overlay 量測與 EUV 光罩檢測，是良率管理與 ≤7nm 量產前提。
KLA 製程控制 ~56%、量檢測合計 ~73.8% 絕對龍頭；Lasertec 為 EUV actinic 光罩檢測唯一商用（~90%+），無合格光罩檢測即不能量產 ≤7nm；Onto、AMAT、日立 High-Tech 利基。
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清洗 / 退火 / 熱製程 Clean · Anneal · Thermal
單片濕式清洗、乾式去光阻（strip）、毫秒/雷射退火（GAA 摻雜活化）與爐管熱處理。
單片清洗 SCREEN+TEL+Lam >82%；乾式去光阻 PSK 全球領導；毫秒/雷射退火 Veeco/AMAT；韓系 SEMES（三星 captive）、Wonik/Jusung/Eugene 沉積清洗在地化；台廠弘塑、辛耘為台積電濕製程在地供應。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
|---|
| [JP] SCREEN (7735.T) | 單片清洗龍頭 | 清洗領導 |
| [KR] PSK Inc. (319660.KQ) | dry strip 全球領導 | ★319660≠母公司 PSK Holdings 031980（reflow/descum） |
| [US] Veeco / Mattson (VECO / —) | 退火 | GAA 摻雜活化（Mattson 中資） |
| [KR] SEMES (—) | 韓系最大在地 | 三星子公司；沉積廠 Wonik/Jusung 改列 eq-depo |
| [TW] 弘塑 / 辛耘 (3131.TWO / 3583.TW) | 台積電在地 | SoIC 濕清洗強 |
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測試 ATE / 探針卡 ATE · Probe Card
晶圓/成品測試（ATE）與晶圓測試探針卡。
ATE Advantest+Teradyne ~45–48%；探針卡 Technoprobe/FormFactor 領先，台廠旺矽（非記憶體全球第三）、中華精測（先進 MEMS 全自製）、穎崴。
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光罩寫入機 Mask Writer Mask Writer
以多束電子束（multi-beam e-beam）在光罩基板寫出電路圖形，是 EUV 光罩唯一成圖手段。
IMS Nanofabrication（Intel 持股）單獨 ~81.5%(2024) 近乎獨佔，NuFlare（東芝集團、已 TOB 下市）overlay 領先、JEOL 補位（multi-beam Top5 ~86%）；無光罩寫入機即無 EUV 光罩。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
|---|
| [AT] IMS Nanofabrication (—) | ~81.5% (2024) | Intel 持股、近乎獨佔 |
| [JP] NuFlare (—) | 雙雄之二 | 東芝集團、已 TOB 下市 |
| [JP] JEOL (6951.T) | Top5 | 補位 |
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設備子系統 / 零組件 Equipment Subsystems
RF 電源、真空、氣體輸送、靜電吸盤（ESC）、真空泵等設備子系統，是 AMAT/Lam/ASML 共同上游。
MKS（RF 電源全球第一）、Advanced Energy（與 MKS 合計 RF >35%）、Comet（真空電容/RF 匹配）、UCT/Ichor（氣體輸送代工）、Ferrotec（ESC/陶瓷）、ULVAC（真空泵）；台廠京鼎/翔名為在地 OEM。
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EDA 工具 EDA Tools
電子設計自動化工具，2nm signoff 與光罩驗證必備。
三強 >70%：Synopsys（~31%，含 Ansys）、Cadence（~30%）、Siemens EDA（~13%，Calibre 物理驗證業界標準）。是先進設計的入口門檻。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
|---|
| [US] Synopsys (SNPS) | EDA ~31% | 2nm signoff 必備 |
| [US] Cadence (CDNS) | EDA ~30% | 設計兩大支柱之一 |
| [EU] Siemens EDA (SIE.DE) | EDA ~13% | 光罩驗證近標準 |
| [US] Ansys / Keysight EDA ((SNPS) / KEYS) | 模擬/RF | Ansys 2025/07/17 正式被 SNPS 以 $350 億併入；2026 H1 推出首批 Synopsys-Ansys Multiphysics-Fusion 整合 EDA 工具 |
| [CN] 華大九天 Empyrean (301269.SZ) | 中國 EDA 龍頭 | 中國 EDA 主力 |
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矽智財 IP / 設計服務 Silicon IP · Design Service
CPU/介面/基礎 IP 與 ASIC 設計服務，是先進製程 SoC 的設計基石。
Arm CPU 架構近獨佔（行動 >95%）；介面 IP Synopsys/Cadence 主導；RISC-V（SiFive、台廠晶心 Andes）興起挑戰。台廠設計服務軍團：力旺（OTP/安全 IP 全球領導、過 N3P）、創意/世芯/智原（2nm ASIC turnkey）。
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先進邏輯晶圓代工（2nm GAA） Leading-edge Foundry
2nm/3nm GAA 邏輯製造的核心——所有設備、材料、EDA/IP 在此匯流，是整條供應鏈的收斂點與終極鎖喉。
台積電代工 ~70%、≤3nm >90% 近乎獨佔（N2 2nm GAA 2025Q4 量產、A16 背面供電）；Samsung（SF2 良率 ~50%、SF2P 目標 ~70%、奪 Tesla AI6）、Intel（18A 最早背面供電、生態薄弱）、Rapidus（日本國家隊 2027）追趕。GAA 良率與生態系是進入障礙，挑戰者落後 1–2 代。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
|---|
| [TW] TSMC 台積電 (2330.TW) | 代工 ~70%、≤3nm >90% | 絕對龍頭、節奏掌控 |
| [KR] Samsung Foundry (005930.KS) | 第二 | SF2 良率 ~50%（2026 Q1 穩定）、Exynos 2600 量產供 Galaxy S26（2026/03/11 首賣）、Snapdragon 仍佔 ~70-75% 出貨量、SF2P 良率目標 ~70% |
| [US] Intel Foundry (INTC) | 挑戰者 | 18A 亞利桑那+奧勒岡 HVM 完成（Panther Lake）；14A PDK 0.5 已開放、兩家潛在外部客戶（Google/Apple/AMD/NVIDIA 初篩）預計 H2 2026 確認、設備採購 YoY +50%+ |
| [JP] Rapidus (—) | 後進試產 | IIM-1 潔淨室啟動、EUV 裝機完成、2nm GAA 試產中；2nm PDK 開放早期客戶；2026 底目標出客戶測試晶片，HVM 仍維持 2027 |
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終端需求（fabless） Fabless Demand
先進製程的最終客戶：fabless 與 IDM 設計公司，AI 與旗艦手機驅動需求。
Apple 拿下 N2 過半初期產能（A20/M6）；AMD（EPYC Venice 已 tape-out）、Broadcom（雲端 ASIC）、Qualcomm/聯發科（N2P）跟進；Nvidia Rubin 暫守 3nm（良率/成本）。需求集中於少數大客戶。
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矽晶圓 Silicon Wafer
先進邏輯製程的 300mm 拋光/磊晶矽晶圓。
前五大 >80%（信越+SUMCO ~54%）：信越（>27%）、SUMCO、環球晶、Siltronic、SK Siltron。
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光阻 Photoresist Photoresist
EUV/ArF 光阻——先進製程圖形化的關鍵材料，日本對 2nm 最強鎖喉之一。
EUV 光阻 Top5 ~50%、Top4 ~75%，日本壟斷：JSR（>22%，含 Inpria 金屬氧化物）、TOK、信越、Sumitomo Chem、Fujifilm；韓系 Dongjin 在地化供 Samsung；台廠崇越代理信越。
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光罩 / EUV blank / pellicle Photomask · Blank · Pellicle
EUV/DUV 光罩、EUV 光罩基板（blank）、防塵薄膜（pellicle）與光罩傳載盒（pod）。
EUV mask blank AGC（~59%）+Hoya（~34%）約 93% 雙寡占；光罩製造 Toppan/DNP/Photronics；EUV pellicle Mitsui 化學領導（ASML 授權、CNT 次世代）；EUV pod 家登 >80% 獨佔（High-NA pod 首發獲 ASML 認證）；韓系 S&S Tech 本土化。
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特用氣體 / 前驅物 Specialty Gas · Precursors
ALD/CVD 高 k 前驅物與蝕刻/清洗特用氣體，GAA 高 k 介電的關鍵。
依氣種 KR/JP/EU 集中：Merck（含 Versum）、Linde、Air Liquide 領導前驅物/氣體；ADEKA（高 k 前驅物 HfO₂ 系列、GAA 關鍵）；韓系 SK Materials/Soulbrain/DNF/Hansol 在地供 Samsung/SK；Resonac/Kanto 蝕刻氣。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
|---|
| [EU] Merck (Versum) (MRK.DE) | 前驅物領導 | 先進製程核心 |
| [EU] Linde / Air Liquide (LIN / AI.PA) | 氣體龍頭 | 晶圓廠氣體主力 |
| [JP] ADEKA (4401.T) | 高 k 前驅物領導 | GAA 高 k 關鍵 |
| [KR] SK Materials / Soulbrain / DNF / Hansol (— / 036830.KS / 092070.KS / 014680.KS) | 韓系在地 | 供 Samsung/SK |
| [TW] 台特化 / 中華化 / 勝一 (4772.TWO / 1727.TW / 1773.TW) | 台廠特氣/溶劑 | 台特化＝台灣唯一矽烷產商 |
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CMP 耗材 / 濕製程化學 CMP Consumables · Wet Chem
CMP 研磨液（slurry）、研磨墊（pad）、修整鑽石碟與濕製程電子化學品。
slurry Top5 ~70%（Entegris ~23%、Fujimi ~18–20%）；DuPont CMP pad（IC1000 近標準）；台廠中砂（CMP 鑽石碟）、長春（電子級化學）；韓系 Soulbrain 濕化學。
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材料通路 / 廠務 / 設備代工 Channel · Facility · Subcon
半導體材料通路、無塵室廠務工程、設備代工與第三方檢測——隨台積電擴產連動、英文來源最易漏的一層。
崇越（信越光阻台灣獨家代理+環保工程）、帆宣（廠務系統+ASML 模組代工）、漢唐/亞翔（無塵室統包）、京鼎（TEL 設備代工）、閎康（第三方失效分析）。建廠連動度高。
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濺鍍靶材 / 石英件 Sputtering Target · Quartzware
GAA 金屬閘極/內連線 PVD 用高純濺鍍靶材，與爐管/反應腔高溫石英陶瓷件。
靶材 JX 金屬（~60%）、Honeywell、Tosoh 領導，台廠光洋、中國江豐切入；石英件 Ferrotec、Heraeus、信越石英。屬設備耗材鎖喉。
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