功率半導體 SiC / GaN 供應鏈 (Power Semiconductor: SiC & GaN)
Power SiC & GaN — 「電力是新的算力瓶頸」第二章：核能/SMR 解決發電，GaN/SiC 解決電怎麼進機櫃。NVIDIA 為 1MW Kyber 機櫃（576 顆 Rubin Ultra、2027 上線）定義 800 VDC 架構，onsemi 估每櫃功率半導體含量從 $9.5K 跳至 $115K（~12 倍）；官方矽夥伴名單 14 家（Infineon/Navitas/onsemi/PI/TI/MPS/Innoscience…）。雙引擎需求：AI 資料中心（Yole 估 GaN 資料中心段 CAGR 53%）＋ EV 800V（近 40% 新中高階車款全 SiC）。上游基板陷中國價格戰（6 吋殺到 $500/片以下、天岳 2025 反超 Wolfspeed 登頂）；TSMC 2027/7 退出 GaN 代工，訂單流向力積電/世界先進/漢磊，台廠重組受惠。
← 回 半導體硬體供應鏈 主題列表 · 回首頁
SiC 基板（長晶） SiC Substrates
SiC 單晶基板：6 吋已商品化、8 吋（200mm）轉換是技術分水嶺。中國價格戰使「基板賣鏟人」邏輯失效，價值往元件/系統端移動。
產業競爭力多層拆解。(1) 位置與量化：SiC 基板歷史為 Wolfspeed 獨大（2024 全球 33.7% #1），但 2025 天岳先進（SICC）以 6 吋 27.5% 反超躍居全球 #1、8 吋更達 51.3%（SEMICON China 2026 揭露），Wolfspeed 退居 #2、天科合達 #3（18.2%）——由『美系近獨佔』轉為『中系領先的紅海』，故 competition=redocean。(2) 護城河類型：長晶（PVT）的壁壘是製程 know-how＋良率曲線＋資本，但 6 吋已商品化、中系以規模＋國家補貼打價格戰（6 吋殺破 $500/片），使『賣鏟人』的護城河從技術轉為成本規模——護城河正在被商品化侵蝕，價值往元件/系統端上移。真正尚未商品化的護城河在 8 吋（200mm）：滲透率 <2% → 2026 約 15%，8 吋良率決定 SiC 元件降本曲線，SICC 已量產導電型 8 吋掌控此戰略段。(3) 競爭態勢與挑戰者：中系（SICC/天科合達/瀚天天成）為成本領先的追趕者且已在 8 吋反超；Wolfspeed/Coherent 在 8 吋競賽落後、地位惡化（Coherent 份額快速流失、僅約 4.5%）；SK Siltron、SiCrystal(ROHM) 守車用垂直客戶。(4) 絃外之音風險：Wolfspeed 2025/9/29 完成 Chapter 11 重整（債務 -70%），Q3 FY26 營收僅 $150.2M、non-GAAP 毛利率 -21%（仍深虧），惟 AI DC 中高壓垂直 QoQ +50%、2026/1 展示 300mm(12 吋) 單晶 SiC 突破（里程碑非量產）——西方基板玩家的生存賭注全押 8 吋/AI 高壓能否比中國價格戰快。投資啟示：避開 6 吋基板純玩家（商品化＋價格戰），焦點放 8 吋良率/成本領先者（SICC）與能上移至系統的 IDM。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
|---|
| [CN] 天岳先進 SICC (688234.SS) | 2025 6 吋 27.5% / 8 吋 51.3%（全球 #1） | SEMICON China 2026 揭露 2025 年 8 吋 SiC 基板市占 51.3%，成首家領導高階段的中國廠商；8 吋已量產導電型基板並持續交付，掌控 SiC 元件降本關鍵段；關係企業 Innoscience 2026/6/12 對 Infineon 取得中國終審勝訴（禁售中國），惟 6/19 慕尼黑反判其侵 Infineon 德國專利，而 2026/5/8 美國 ITC 終判其現行產品不侵權可續銷美——中系 WBG 法律格局三地分裂 |
| [US] Wolfspeed (WOLF) | 2025 #2（6 吋）；8 吋競賽落後 | Chapter 11 重整完成（債務 -70%）；Q3 FY26 營收 $150.2M、毛利率 -21%，惟中高壓垂直（AI 資料中心）營收 QoQ +50%；2026/1 完成 CFIUS 核准向 Renesas America 發行約 1,685 萬股，Renesas（已放棄 SiC 自製）轉為客戶兼股東；2026/1 展示 300mm(12 吋) 單晶 SiC 技術突破（里程碑非量產）；2026/6 轉攻 AI 高壓系統——6/8 與 GE Aerospace 簽 10kV SiC MOU、6/9 發表 Gen 5 SiC MOSFET（1200V RSP -27%） |
| [CN] 天科合達 TanKeBlue (未上市) | 2025 #3（18.2%） | $500/片以下價格戰主力之一 |
| [US] Coherent (COHR) | 2025 約 4.5% | 份額快速流失，轉向高值化 |
| [KR] SK Siltron (未上市) | 前五 | SK 集團；車用客戶為主 |
| [JP] SiCrystal（ROHM） (6963.T) | 歐系車用供應 | ROHM 垂直整合上游 |
資料來源
磊晶 Epitaxy SiC / GaN Epitaxy
在基板上長磊晶層，決定元件耐壓與良率。台廠嘉晶為外售磊晶利基龍頭之一，GaN 磊晶受 AI 資料中心/快充需求帶動暴衝。
嘉晶 Q1 2026 獲利近 7 季新高（年增逾 34 倍）、Q2 營收看增逾 2 成；GaN 磊晶 QoQ +73%（AI 資料中心/快充/機器人），產能滿載、2025 擴產 ~30% 仍被預訂一空；8 吋 SiC 磊晶通過日本 IDM 驗證、Q2 2026 起導入訂單。SiC 磊晶仍在去化（YoY -27%）——GaN 強、SiC 弱的分化是 2026 主旋律。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
|---|
| [TW] 嘉晶電子 (3016.TW) | 外售 Si/SiC/GaN 磊晶利基龍頭 | Q1 2026 獲利近 7 季高、GaN QoQ +73%、8 吋 SiC 過日系 IDM 驗證 |
| [JP] Resonac（昭和電工） (4004.T) | 外售 SiC 磊晶龍頭之一 | 供應歐美日 IDM |
| [CN] 瀚天天成 EpiWorld (未上市) | 中系外售磊晶主力 | 配合中系元件廠擴張 |
| [CN] 東莞天域 (未上市) | 中系第二梯隊 | 價格競爭者 |
| [US] Coherent (COHR) | 基板＋磊晶一體 | 高值化轉型中 |
資料來源
SiC 元件 IDM SiC Device IDMs
SiC MOSFET/二極體五強寡占（>70%）：Infineon、ST、onsemi、ROHM、Bosch。EV 800V 為現有最大市場，AI 資料中心為新增引擎。
產業競爭力多層拆解（本鏈主帶）。(1) 位置與量化：SiC MOSFET/二極體為五強寡占（Infineon/ST/onsemi/ROHM/Bosch 合計 >70%），Infineon 車用功率 #1、WBG 整體領導，onsemi SiC 全球第二、ST 為 Tesla 主供先驅——屬 oligopoly。(2) 護城河類型：SiC IDM 的壁壘同時疊四層——製程/技術（8 吋良率、Trench MOSFET 世代）＋垂直整合（自製基板/磊晶壓成本，ROHM 有 SiCrystal、ST 有三安 JV）＋客戶認證綁定（車規/資料中心電源需 1-2 年 qual，換供風險高）＋資本門檻（200mm fab 數十億美元）；此四層使 SiC IDM 護城河明顯深於 GaN 純玩家，且 IDM 可以『全電壓（0.8V–800V）』方案橫跨 SiC/GaN 擠壓題材股，是本主題最結構性的競爭優勢。(3) 競爭態勢與挑戰者：AI 資料中心成 IDM 業績與估值重估的邊際買家，接棒疲軟的車用 SiC。第三方背書——Gartner（2026/5/18 報告、Infineon 2026/6 公告）點名 Infineon 為 AI 資料中心功率半導體『company to beat』，理由為完整產品組合＋製造能力＋『grid-to-core』全鏈覆蓋。Infineon（領導）：Q2 FY26 營收 €38.1 億、Q3 指引約 €41 億優於共識、FY26 上修「顯著年增」、AI DC 電源 FY26 €15 億 → FY27 €25 億（供給受限）、加入 NVIDIA MGX。ST（次強/Tesla 主供）：2026/6 將資料中心營收目標由 ~$5 億上修近倍至 ~$10 億、2027 可望翻倍；ST-三安重慶 200mm SiC JV 全面營運。onsemi（次強）：AI DC 營收 2026 看翻倍、QoQ +30%、毛利率回升 38.5%、估 800V 機櫃功率含量 $115K vs 傳統 $9.5K、宣稱『首家量產垂直 GaN』。挑戰者退出訊號：Renesas 2025/6 放棄 SiC 自製、2026/1 轉為 Wolfspeed 客戶兼股東。(4) 絃外之音風險：短期 2025-26 歐美 EV 需求疲軟壓低車用 SiC 稼動率（車用仍占 2027 SiC >70%，AI DC 尚不足以獨撐）；中國基板/元件價格戰若下移至中壓段，將侵蝕五強的降本護城河與定價權。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
|---|
| [DE] Infineon (IFX.DE) | 車用功率 #1、WBG 整體領導 | Gartner 報告（2026/5/18 發布、Infineon 2026/6 公告）點名 Infineon 為 AI 資料中心功率半導體『最難擊敗者（company to beat）』，理由為完整產品組合＋製造能力＋grid-to-core 全鏈覆蓋——第三方分析師背書其系統級領導地位；AI DC 電源 FY26 €1.5B → FY27 €2.5B；NVIDIA MGX 夥伴；GaN 專利戰三地戰場：2026/6/12 中國最高法院終審維持對 Infineon 侵 Innoscience 專利之禁售令（中國市場受制），但 2026/6/19 慕尼黑地方法院反判 Innoscience 侵 Infineon 兩項 GaN 專利、德國禁售並賠償（Innoscience 稱僅涉已停產舊品），另 2026/5/8 美國 ITC 終判 Innoscience 現行產品不侵權——歐洲法律籌碼扳回、美國實質開放 |
| [EU] STMicroelectronics (STM) | SiC 元件先驅、Tesla 主供（次強） | 2026/6 資料中心營收目標由 ~$5 億上修近倍至 ~$10 億、2027 可望翻倍；ST-三安重慶 200mm SiC JV 全面營運 |
| [US] onsemi (ON) | SiC 全球第二 | AI DC 營收 QoQ +30%、2026 看翻倍；GaN 訂單漏斗 >$15 億 |
| [JP] ROHM (6963.T) | SiC 垂直整合（SiCrystal） | EV 客戶集中、獲利承壓 |
| [DE] Bosch (未上市) | 車用 Tier-1 自製 | Roseville 200mm 廠 2026 起轉產 SiC |
資料來源
GaN 元件 / 平台 GaN Power Devices
GaN 吃高頻中低壓（~1MHz DC-DC、PDB），SiC 吃高壓大功率——互補而非互斥。NVIDIA 800VDC 是 2026 最大催化。
產業競爭力多層拆解。(1) 位置與量化：power GaN 為高成長分散市場（2024 前五大 Innoscience 29.9%／Navitas 16.5%／EPC 12.4%／Infineon 10.3%／PI 9.8%，Yole；CR5 <80%），無單一龍頭壟斷，屬 highgrowth 而非寡占。(2) 護城河類型：GaN 純玩家的壁壘主要是製程/技術先行（PI 為『唯一』量產 1250V/1700V 高壓 GaN、累計出貨 >1.75 億顆＝技術壁壘＋認證卡位；Navitas GaNFast 客戶設計綁定）——但 GaN 元件護城河比 SiC 淺，橫向 GaN-on-Si 製程可授權（Navitas 已授權 Cyient 於印度做第二源），IP 壁壘正被 IDM 的『垂直 GaN』繞過。(3) 競爭態勢：2026-H1 IDM 巨頭以「垂直 GaN + 全電壓（0.8V–800V）整合」擠壓純玩家差異化——onsemi 宣稱『首家量產垂直 GaN』（700V/1200V 送樣、H2 2026 量產、設計漏斗 >$15 億：10 顆送樣＋20 顆 H2 跟進），垂直結構可做更高壓/功率密度；Infineon/ST 亦以全電壓 IDM 直接競爭。Innoscience 為全球最大 GaN IDM（8 吋）＋唯一 15V-1200V 全電壓段（追趕者中的次強），FY25 營收 RMB 12 億（+46.4%）、2025-28 CAGR 預估 ~77%、獲 NVIDIA GaN Supplier Award。(4) 絃外之音風險：Navitas 為 NVIDIA 800VDC『純度最高』題材股，但 Q1 2026 營收僅 $8.6M（QoQ +18%、non-GAAP 毛利率 39.25%、AI 基建 QoQ +50%）、仍虧損——估值與營收嚴重背離，高 beta 回檔風險續存。專利戰形成地理分裂：2026/6/12 中國最高法院終審維持對 Infineon 禁售令（Innoscience 主場勝），2026/6/19 慕尼黑地方法院判 Innoscience 侵 Infineon 兩專利、德國禁售（Innoscience 稱僅涉已停產 650-700V 舊品），惟 2026/5/8 美國 ITC 終判 Innoscience『現行產品不侵權、可續在美銷售』（僅停產舊品之 2 項 claim 侵權）——即美國市場對 Innoscience 實質開放，WBG 設計/認證被迫按地理切割。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
|---|
| [US] Navitas (NVTS) | power GaN 全球 #2（2024 約 16.5%） | COMPUTEX 2026 NVIDIA MGX Showcase 點名其 800V→6V DC-DC 板（效率 97.5%、2,100 W/in³），6/12 單日急漲約 22-25% 至 ~$31.9；Q1 營收 $8.6M、估值風險極高；GaN 晶圓原『全押台積電一家』，2027/7 台積退出後轉力積電——供應單點；技術授權變現新模式：Cyient Semiconductors 以 Navitas GaN 技術推出印度首個 GaN 功率 IC 家族（7 顆、≤650V，2026/6 起送樣），擔任 Navitas 量產品的第二供應源並打入印度本土採購生態系——延伸至 IP/授權收入，分散純晶片營收依賴 |
| [US] Power Integrations (POWI) | 高壓 GaN 唯一量產者（整體 GaN 約 9.8%） | 累計 >1.75 億顆 GaN switch；800V bus 夥伴 |
| [CN] 英諾賽科 Innoscience (2577.HK) | power GaN 全球 #1（2024 約 29.9%） | 全球最大 GaN IDM（8 吋）；FY25 營收 RMB 12 億（+46.4%）；2025-28 CAGR ~77% 預估；NVIDIA 供應商獎；GaN 專利戰三地分裂：2026/6/12 中國最高法院終審維持對 Infineon 禁售令（主場勝），2026/6/19 慕尼黑地方法院判其侵 Infineon 兩專利、德國禁售（Innoscience 主張僅涉已停產 650-700V 舊品），惟 2026/5/8 美國 ITC 終判『現行產品不侵權、可續在美銷售』（僅停產舊品侵權）——美國市場實質開放 |
| [US] EPC (未上市) | 低壓 GaN 先驅 | NVIDIA 矽夥伴名單 |
| [US] onsemi (ON) | 首家量產『垂直 GaN』者 | 2026-H1 宣布首家量產垂直 GaN（700V/1200V 已送樣、2026 下半年量產），GaN 設計漏斗 >$15 億（10 顆送樣、20 顆 H2 2026 跟進）；以全電壓 IDM 方案直接擠壓 GaN 純玩家差異化 |
| [US] Texas Instruments (TXN) | 類比巨頭跨入 | NVIDIA 矽夥伴名單 |
| [US] MPS (MPWR) | 電源模組強者 | NVIDIA 矽夥伴名單 |
資料來源
化合物晶圓代工 Compound Semi Foundry
GaN fabless（Navitas 等）依賴代工。TSMC 退出後台廠卡位：力積電、世界先進、漢磊為三大受惠者。
產業競爭力多層拆解（供應鏈咽喉重組）。(1) 位置與量化：GaN fabless（Navitas 等）依賴外部代工，TSMC 過去是 Navitas 等 NVIDIA 800VDC 純玩家的『唯一』GaN 晶圓來源（6 吋月產能 3,000-4,000 片、Navitas 占逾半）；TSMC 2027/7/31 前退出 GaN、廠房轉先進封裝，供應安全與定價權移交台廠——力積電/世界先進/漢磊為三大承接者，競爭態勢由 monopolistic 供應轉為 competitive 多源。(2) 護城河類型：化合物代工壁壘是製程/平台授權＋產能/資本門檻＋GaN-on-Si vs GaN-on-QST 技術路線相容性——Navitas 選力積電而非台積系的世界先進，正因力積電與台積同用較便宜的 GaN-on-Si、轉單相容成本低（客戶製程綁定的護城河）。世界先進取得 TSMC 低壓+高壓 GaN 平台『授權』（IP 護城河），2028 上半年量產。(3) 競爭態勢與挑戰者：力積電（Navitas 100V-650V 主承接、100V 家族 H1 2026 投產）、世界先進（授權者、與漢磊合建 8 吋化合物產線）、漢磊（台灣最大化合物代工，6 吋 SiC 5,000 片/月＋GaN 2,000 片/月＋8 吋 1,500 片/月規劃）；X-Fab（歐系）、GlobalFoundries（美系本土供應訴求）為分散風險的替代源。(4) 絃外之音風險：閃亮的 NVIDIA 矽夥伴 fabless 其實受制於上游代工單點——2027 TSMC 退出與台廠新線量產（漢磊 2026H1 試產、力積電 2026H1 投產、世界先進 2028）之間若出現產能空窗或良率爬坡不順，將直接卡住整條題材股的出貨；台廠代工雖受惠轉單，但 GaN 代工毛利遠低於邏輯先進製程，且面對中系化合物代工的成本競爭。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
|---|
| [TW] 漢磊科技 (3707.TWO) | 台灣最大化合物代工 | 8 吋線 2026H1 試產；2026 營收看雙位數成長 |
| [TW] 力積電 (6770.TW) | Navitas GaN 主要承接者 | 承接 Navitas 自台積電（2027/7 退出）轉單，8 吋 GaN-on-Si H1 2026 量產 |
| [TW] 世界先進 (5347.TWO) | TSMC GaN 製程授權者 | 授權 TSMC 80V/650V GaN 製程，2028 上半年量產；與漢磊合建 8 吋化合物產線 |
| [TW] 台積電 (2330.TW) | 退出中（2027/7 止） | 廠房轉先進封裝；Navitas 轉單 |
| [DE] X-Fab (XFAB.PA) | 歐系選項 | 歐美客戶分散風險選擇 |
| [US] GlobalFoundries (GFS) | 美系選項 | 美國本土供應鏈訴求 |
資料來源
二極體 / 功率模組（台廠） Discretes & Power Modules (TW)
台廠中游功率鏈：二極體/MOSFET/車用模組。受惠安世（Nexperia）事件轉單＋AI 伺服器高壓電源新需求。
產業競爭力多層拆解（被低估的隱形冠軍，非碎片化）。(1) 位置與量化：此節點看似分散，實則各擁全球/台灣龍頭——朋程為車用整流二極體『全球』龍頭、市占 >60%（部分高效產品逼近 80%，路上逾半新車用其整流器）；強茂為台灣最大功率半導體 IDM（二極體 44%/MOSFET 33%）。(2) 護城河類型：朋程的護城河是車規認證綁定＋幾十年 Tier-1 供應關係＋規模成本，車用整流二極體是低單價、高認證門檻、換供風險高的『隱形壟斷』——這類品項大廠不屑做、新進者過不了車規，形成穩定的利基寡占。強茂的護城河是 IDM 垂直整合＋台灣中游產能卡位＋地緣『去中』轉單受惠。(3) 競爭態勢與挑戰者：朋程在 Bosch 退出整流二極體後承接大單、SiC/IGBT 模組向歐洲客戶交付 B sample、接獲『排除中國供應鏈』新專案（地緣紅利）；強茂 2025 底切入 CSP ASIC 伺服器供應鏈；台半、德微（Diodes 子公司）為第二梯隊。中系功率二極體為長期成本挑戰者，但被歐美『去中』採購擋在門外。(4) 絃外之音風險：朋程 Q1 2026 營收 NT$20.4 億（QoQ +10.8%）、2026 目標雙位數成長、毛利率拚回 30%+；強茂法人估 AI 占比 2026 達 9-12%、全年營收 +15-20%、EPS 挑戰 4.76-5 元（『2026 放量元年』）——但兩者本業仍以車用/傳統功率為主，AI 伺服器高壓電源貢獻尚在爬坡，若 EV 需求續弱或去中紅利被政策反轉，成長動能將回到週期性本業。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
|---|
| [TW] 強茂 (2481.TW) | 台灣最大功率 IDM | 2026 AI 占比看 9-12%、EPS 挑戰 4.76-5 元 |
| [TW] 朋程科技 (8255.TWO) | 車用整流二極體全球龍頭（市占 >60%、高效品逼近 80%） | 全球車用整流二極體市占 >60%（隱形壟斷）；Q1 2026 營收 NT$20.4 億、QoQ +10.8%；Bosch 退出後承接大單；歐系「去中」新專案 |
| [TW] 台半 (5425.TWO) | 車用/工控二極體 | 車用比重提升中 |
| [TW] 德微科技 (3675.TWO) | Diodes 子公司 | 受惠集團轉單 |
資料來源
終端需求：800VDC AI 資料中心 / EV 800V 800VDC AI DC & EV Demand
需求定義權自 NVIDIA 單點擴散為超大規模聯盟：NVIDIA Kyber 800VDC（2027 商用、效率 +5%、維護 -70%）＋ Google 偕 Meta/Microsoft 的 Mount Diablo（Diablo）800VDC「sidecar 機櫃」並行兩套標準；另一引擎 EV 800V 平台（近 40% 新中高階車款全 SiC）。
終端需求 2026-H1 從「單一客戶定義」升級為「跨超大規模業者共識」：除 NVIDIA Kyber（576 顆 Rubin Ultra，2027 上線、Vertiv 發布 800 VDC MGX 參考架構）外，Google 偕 Meta、Microsoft 推出 Mount Diablo / Diablo 800VDC『sidecar 機櫃』規範（支援 100kW–1MW、AC-DC 轉換移出運算櫃），與 NVIDIA MGX 800VDC 並行成第二套產業標準——擴大 SiC/GaN 上游可定址市場並降低單一客戶集中風險。電力系統夥伴台達/光寶/Flex；CoreWeave、Lambda、Nebius、OCI 已在設計 800V 資料中心。EV 端 Tesla（ST 供 SiC）、BYD、Hyundai E-GMP、保時捷 800V 平台持續放量——但 2025-26 歐美 EV 需求疲軟是 SiC 短期逆風，AI 資料中心成為估值重估的邊際買家。事件時間軸：2026H1 漢磊試產/力積電投產 → 2026H2 Vera Rubin 出貨 → 2027 Kyber 商用＋TSMC GaN 退出 → 2028 世界先進量產。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
|---|
| [US] NVIDIA (NVDA) | MGX 800VDC 架構定義者（之一） | 14 家矽夥伴名單；2027 Kyber 上線；定義權 2026-H1 起與 Google/Meta/Microsoft 的 Diablo 標準並行 |
| [US] Google (GOOGL) | Diablo 800VDC 標準主導者 | 偕 Meta、Microsoft 推出 Mount Diablo / Diablo 800VDC sidecar 機櫃（支援 100kW–1MW、AC-DC 轉換移出運算櫃），與 NVIDIA MGX 並行成第二套產業標準 |
| [US] Vertiv (VRT) | 電力系統整合 | 與 NVIDIA 共推平台設計 |
| [TW] 台達電 (2308.TW) | 電源系統龍頭 | ±400V/800V 獲美系 AI 客戶採用（見 power 主題） |
| [US] Tesla (TSLA) | SiC 上車先驅 | ST 為 SiC 主供 |
| [CN] BYD 比亞迪 (1211.HK) | 自製 SiC | BYD 半導體垂直整合 |
| [KR] Hyundai 現代 (005380.KS) | E-GMP 800V | Ioniq 系列放量 |
資料來源
💬 留言討論 (0)
歡迎分享你對此供應鏈／個股的看法。需以 Google 帳號登入後留言；內容僅供研究討論，非投資建議。