半導體供應鏈互動地圖

半導體前段設備供應鏈 (Wafer Fab Equipment)

Wafer Fab Equipment — 晶圓廠前段設備是 AI/2nm/HBM 資本支出的核心鏟子。五強寡占(ASML 光刻獨佔 EUV、Applied Materials WFE ~19% 最大廠、Lam 蝕刻龍頭、Tokyo Electron、KLA 製程控制 ~56%)+ 細分獨佔(Lasertec EUV 光罩檢測 ~90%、Disco 切割研磨 60-70%、ASM 單片 ALD >55%、VAT 真空閥 ~34%)。2026 WFE 上看 $135–154B、2027 達 $156–210B,AI 先進邏輯+HBM/DRAM+先進封裝三條 capex 齊揚,市場 re-rating 循環延到 2027-28。台日彈性標的辛耘/弘塑/家登/京鼎/Disco/SCREEN;中國國產北方華創/中微/ACM 六家合計占全球 WFE ~6.5% 並逐步上吃成熟製程份額。⚠ 高 beta 循環股,中國出口管制與國產替代是雙面刃。

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設備子系統 / 關鍵零組件 WFE Subsystems & Critical Components

真空閘閥、RF/DC 電源與匹配網路、氣體流量控制、靜電吸盤、乾式真空泵、運動控制——是所有 WFE OEM 的共同上游,景氣彈性常被低估。

設備子系統是約 $50B 的隱形市場,是五強設備廠的共同上游。VAT Group(CH,高真空閘閥 ~34% 全球領導、2025 營收 >CHF 9 億)、MKS Instruments(US,氣體輸送/RF 電源/流量控制,2024 半導體相關營收約 $1.8B)、Advanced Energy(US,RF/DC 電源與匹配網路,直接對撼 MKS)、Edwards Vacuum(Atlas Copco 旗下,乾式真空泵領導)、Ichor Systems(US,整合氣路模組)、Horiba(JP,質量流量計)、Pfeiffer Vacuum(DE,渦輪分子泵)。絃外之音:ASML 的真正鎖喉在更上游的 Carl Zeiss SMT(光學)與 TRUMPF(CO₂ 雷射)——子系統層才是設備鏈最深的單點。

公司市佔/地位角色
[CH] VAT Group (VACN.SW)真空閘閥 ~34%全球高真空閘閥 ~34% 獨強、對五強設備廠多為 sole-source 指定供應;晶圓製程須維持超高真空、閥件失效即污染整爐,客戶黏著度極高、2025 營收 >CHF 9 億
[US] MKS Instruments (MKSI)氣體輸送/RF 領導電漿電源+氣體輸送+真空量測『三合一子系統』整合龍頭,供應 Lam/AMAT/TEL 等所有 WFE OEM;一套製程模組同時綁多項 MKS 零件,難以拆換、2024 半導體相關營收約 $1.8B
[US] Advanced Energy (AEIS)RF/DC 電源 #2電漿製程電源全球第二、與 MKS 合占 RF 電漿電源約 28%(雙寡占);電源波形直接決定蝕刻/沉積良率,客戶為降風險常維持雙源,是 MKS 唯一對等替代
[SE] Edwards Vacuum (Atlas Copco) (ATCO-A.ST)乾式真空泵領導半導體乾式真空泵+製程廢氣處理(abatement)全球龍頭,供應各 WFE OEM 與晶圓廠;每台製程機台配 1+ 台真空泵、屬耗材型剛需,隨裝機量與稼動率長期成長
[US] Ichor Systems (ICHR)整合氣路模組外包龍頭氣體與化學輸送子系統委外製造龍頭,Lam+AMAT 合占其營收約 76%(Lam 為最大客戶);OEM 為聚焦核心製程把氣路模組整組外包,深度綁定但也承受單一客戶循環風險
[JP] Horiba (6856.T)MFC 質量流量計龍頭半導體製程氣體質量流量控制器(MFC)全球市占領導,供應各 WFE OEM 與晶圓廠;每台沉積/蝕刻機台需數十顆 MFC 精控氣體配比,是決定膜厚/均勻度的關鍵計量件
[DE] Pfeiffer Vacuum (—)渦輪分子泵渦輪分子泵與真空洩漏檢測領導廠(Busch 集團),供應高真空製程與量測機台;高真空腔體達成超低壓力的核心泵浦,與 Edwards 分食 WFE 真空泵剛需市場

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微影 EUV / High-NA / DUV Lithography (EUV · High-NA · DUV)

把電路圖形轉印到晶圓的曝光設備——EUV/High-NA(2nm 以下唯一手段)與浸潤式 DUV(多重曝光),是整條 WFE 鏈最深、價值量最高的單點。

ASML 100% 獨佔 EUV(NXE / High-NA EXE:5200),是 2nm 以下圖形化的唯一手段;浸潤式 DUV 也由 ASML 主導(>60%),Nikon/Canon 補位。Q1'26 營收 €8.8B(EUV 系統單季 >€4.1B、含 2 台 High-NA),記憶體佔系統營收 51%(DRAM 客戶加速採用 EUV);2026 全年財測由 €34–39B 上修並收窄至 €36–40B、2030 模型 €44–60B;Low-NA EUV 2027 出貨目標上調至 ≥80 台(2026 ≥60、2025 出 44)。High-NA 早期客戶結構確立:EXE:5200B 首台量產機 2025Q4 出貨,Intel 14A 為首位採用者、SK Hynix 預計取得約 2 台用於次世代 DRAM,ASML 預期 2026Q2 內可見首批 High-NA 製造之記憶體/邏輯產品;TSMC 因 €350M+ 單價延後至 1.4nm 之後——顛覆『先進設備一定 TSMC 先買』直覺。中國 SMEE(上海微電子)i-line 僅 ~4%、最先進約 90nm DUV,仍落後數代。

公司市佔/地位角色
[NL] ASML (ASML)EUV 100% / DUV 浸潤式主導2nm 以下無替代;Q1'26 €8.8B、記憶體佔系統 51%;2026 財測收窄至 €36–40B;EXE:5200B 首台 2025Q4 出貨、Intel 14A 首採、SK Hynix 約 2 台;TSMC 延後至 1.4nm 後;WF 6/22 拉目標價至 $2,200、估 EUV 年產能 2027 破 90 台、中國需求 2027 回升
[JP] Nikon (7731.T)DUV 第二源浸潤式 ArFi DUV 曝光機 ASML 外主要第二源,供應成熟製程與晶圓廠雙源需求;無 EUV 產品、已被 ASML 拉開世代差距,價值在提供客戶議價籌碼與供應保險
[JP] Canon (7751.T)i-line/KrF + NIL成熟節點 i-line/KrF 曝光機供應者,並以奈米壓印(NIL) FPA-1200NZ2C 另闢低成本圖形化路線切記憶體;NIL 免昂貴 EUV 光學,是繞過 ASML 獨佔的潛在替代技術
[DE] Carl Zeiss SMT (—)EUV 光學 sole-source未上市(ASML 持股 24.9%);EUV 曝光機超光滑反射鏡組唯一供應者、無 Zeiss 即無 EUV,是比 ASML 更深的單點鎖喉;30 年獨家綁定,High-NA 光學亦由其獨供,客戶價值等同全球先進製程命脈
[DE] TRUMPF (—)EUV CO₂ 驅動雷射唯一未上市;全球唯一 EUV 光源驅動雷射供應者,30kW CO₂ 雷射每秒轟擊 5 萬顆錫液滴產生電漿 EUV 光,僅供 ASML;無此雷射 EUV 無法運作,是 EUV 光源最上游 sole-source 單點
[CN] SMEE 上海微電子 (—)i-line ~4% / 90nm DUV未上市;中國微影國產化唯一主力,供應本土成熟製程曝光機;最先進僅達 90nm DUV、無 EUV 亦落後 ASML 浸潤式數代,是中國設備自給最大缺口,被列 2027 國產化 70% 目標攻堅重點

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沉積 CVD / PVD / ALD / Epi Deposition

在晶圓表面沉積各式薄膜(CVD/PVD/ALD/磊晶 Epi)——GAA 閘極堆疊與 3D NAND/DRAM 結構使 ALD 步驟暴增,是 WFE intensity 上升最直接受惠的環節。

AMAT 為整體沉積龍頭(PVD/CVD/Epi 全線、Endura Trillium ALD)、FY2025 營收 $28.37B(WFE ~19% 最大廠);Lam(介電/金屬填充、SABRE 電鍍);TEL 補位;ALD 細分——ASM International 單片 ALD >55%(GAA 2nm 受惠,Q1'25 訂單 €834M)、Kokusai Electric 批次 ALD ~70%(高深寬比批次薄膜,3D NAND 300+ 層核心)。中國:拓荊(Piotech)切入 PECVD/ALD、北方華創 PVD/CVD 在地。3D NAND 往 300+ 層、3D DRAM 量產使沉積價值量結構性放大。

公司市佔/地位角色
[US] Applied Materials (AMAT)沉積龍頭 / WFE ~19%全球 WFE 最大廠(~19%)、PVD/CVD/Epi 全線沉積龍頭,供應 TSMC/Samsung/Intel/記憶體全體先進廠;沉積+蝕刻+CMP+植入整合佈局讓其能單廠通吃前段多環節、GAA/3D 化最直接受惠,FY2025 營收 $28.37B 創紀錄
[NL] ASM International (ASM.AS)單片 ALD >55%單片原子層沉積(ALD)全球 >55% 龍頭,供應 TSMC/Samsung/Intel 等 2nm GAA 客戶;GAA 奈米片閘極堆疊靠 ALD 逐原子鋪膜、微縮愈深步驟愈多,是製程微縮最直接受惠的沉積寡占
[JP] Kokusai Electric (6525.T)批次 ALD ~70%批次爐管型 ALD/LPCVD 全球 ~70% 寡占,供應記憶體大廠 3D NAND/DRAM 產線;高深寬比垂直結構須一次沉積數百片、批次爐管兼顧膜厚均勻與產能,是 300+ 層堆疊核心設備
[US] Lam Research (LRCX)介電/金屬填充領先蝕刻龍頭跨足沉積,以 ALTUS 鎢/鉬 ALD 與 SABRE 電鍍主攻 3D NAND 高深寬比金屬填充(gapfill),供應記憶體大廠;蝕刻+沉積整合佈局讓其在 3D 化結構同時吃兩個環節、增值客戶良率
[JP] Tokyo Electron (8035.T)沉積補位 / 塗顯清洗雙雄日系設備五強之一,沉積補位並在塗顯 track/清洗與 SCREEN 雙寡占,供應 TSMC/Samsung/記憶體大廠;產品線橫跨蝕刻+塗顯+清洗+沉積,是唯一多環節通吃的日廠、FY2025 營收 ¥2.43T(+32.8%)
[CN] 拓荊 Piotech (688072.SS)中國 PECVD/ALD 龍頭中國薄膜沉積國產化龍頭,PECVD/ALD/SACVD 供應 SMIC/CXMT/YMTC 等本土晶圓廠;在國產替代政策與新增產能須採購本土設備的要求下,是中國沉積設備自給的主要承接者
[CN] 北方華創 NAURA (002371.SZ)中國設備最大廠 / 全球第 5中國最大、產品線最廣的本土設備廠,PVD/CVD/蝕刻/爐管全供 SMIC/CXMT/YMTC;2025 營收躍全球設備廠第 5、超越 KLA(前四仍 ASML/AMAT/Lam/TEL),靠國產替代政策強制採購本土設備放量,惟低價競爭致毛利承壓

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蝕刻 Etch / ALE Etch

以電漿/原子層蝕刻(ALE)移除材料、刻出結構——GAA 奈米片成形與 3D NAND 高深寬比孔洞使蝕刻價值量大增。

Lam Research 蝕刻全球第一(導體/介電蝕刻、ALE 主力),Q3'FY26(截至 2026/3/29)營收 $5.84B(QoQ +9%、YoY +24%)、non-GAAP EPS $1.47 雙超財測,Lam 自估 2026 設備市場成長雙位數;AMAT(Sculpta ALE)、TEL(Tactras)強勢補位。中國:中微 AMEC 在介電蝕刻表現亮眼(2024 營收 ¥9.07B、+44.7%)、14nm 蝕刻機於 SMIC 驗證中,北方華創 ICP/矽蝕刻;中國蝕刻自給率已破雙位數。⚠ Lam 中國營收占比已自一度的 43% 降至 34%(前季 35%)、管理層指 6 月季續降,惟仍是四強中曝險偏高、最大政策風險。

公司市佔/地位角色
[US] Lam Research (LRCX)蝕刻全球第一電漿/原子層蝕刻(ALE)全球第一,3D NAND 高深寬比孔洞與 GAA 奈米片成形須靠其深槽蝕刻,供應台積電/三星/記憶體大廠、單源難替;Q3'FY26 $5.84B(QoQ+9%/YoY+24%)、EPS $1.47 雙超財測,惟中國占比 34% 為四強最高政策曝險
[JP] Tokyo Electron (8035.T)蝕刻第二/三強電漿蝕刻全球第二/三強,Tactras 平台供應先進邏輯與記憶體大廠,並兼具塗顯 track 雙寡占;蝕刻+塗顯雙料使其在 GAA/3D 化製程綁定度高、FY2025 營收 ¥2.43T
[US] Applied Materials (AMAT)蝕刻強勢WFE 最大廠、蝕刻第三強,以 Sculpta 圖形塑形 ALE 切入 GAA 奈米片成形,供應先進邏輯客戶;沉積+蝕刻+CMP+植入整合佈局讓其能綁定整條前段製程、提升客戶單廠設備滲透
[CN] 中微 AMEC (688012.SS)中國介電蝕刻領先中國高階介電蝕刻龍頭,供應 SMIC 等本土晶圓廠、常勝 NAURA,14nm 蝕刻機於 SMIC 驗證中;是國產替代政策下最接近先進節點蝕刻自給的本土廠,2024 營收 ¥9.07B(+44.7%)
[CN] 北方華創 NAURA (002371.SZ)中國 etch/depo ~25%中國蝕刻設備 28nm+ 段領先,ICP/矽/金屬蝕刻供應 SMIC/CXMT,並併購 Kingsemi 擴塗顯 track;產品線最廣讓本土晶圓廠可一站採購多環節國產設備,是中國設備自給的主承接者

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CMP / 離子植入 CMP & Ion Implantation

CMP(化學機械研磨平坦化)與離子植入(摻雜)——每層金屬/介電都需平坦化、每個電晶體都需摻雜,是製程剛需環節。

CMP:AMAT 71.3% + Ebara 26.7% = 雙雄壟斷 >90%(2025 市場約 $2.5–5B);離子植入:AMAT(Varian)與 Axcelis 雙雄,為唯二具全系列植入產品的廠商。中國:華海清科(Hwatsing)CMP 五年內把中國份額拉升 8 個百分點,是中國 CMP 國產化代表。此環節循環性低於沉積/蝕刻,確定性較高。

公司市佔/地位角色
[US] Applied Materials (AMAT)CMP 71% / 植入雙雄CMP 化學機械研磨全球 71%、離子植入(Varian)與 Axcelis 雙雄約 62%,兩大剛需環節皆龍頭,供應全球先進邏輯/記憶體廠;每層互連需 CMP 平坦化、每電晶體需植入摻雜,隨層數與微縮量放大,客戶難繞過
[JP] Ebara (6361.T)CMP ~27%CMP 化學機械研磨全球約 27%、與 AMAT 雙雄合占 >90%,供應先進邏輯與記憶體晶圓廠;每層金屬/介電互連都需 CMP 平坦化、多層堆疊使需求隨層數放大,屬製程剛需寡占
[US] Axcelis Technologies (ACLS)離子植入 #2 / SiC 70-80%離子植入全球第二(AMAT/Varian 約 62%),是唯二具全系列植入能力者,SiC 功率元件植入更達 70-80% 領先;摻雜精度決定電晶體特性、雙源格局讓客戶保有 AMAT 外的關鍵替代
[CN] 華海清科 Hwatsing (688120.SS)中國 CMP 唯一龍頭中國 CMP 設備國產化唯一龍頭,供應 SMIC/華虹/YMTC/CXMT 打破 AMAT/Ebara 壟斷,助中國 CMP 份額由 2022 的 1.5% 拉至近 11%;近五年營收複合成長 86%,受惠國產替代與記憶體擴產剛需
[TW] 弘塑 Grand Process Tech (3131.TWO)台廠濕製程/單片CoWoS 拉貨;2025 出貨 170-200 台(+70~100%)、法人估營收年增 50%

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量檢測 / 製程控制 Metrology & Process Control

缺陷檢測、CD/薄膜/overlay 量測與 EUV 光罩檢測——是良率管理與 ≤7nm 量產前提,被視為設備族群中最確定的『不可殺死的訂閱』。

KLA 製程控制 ~56% 絕對龍頭(光學/e-beam 檢測、量測),FY2025 營收 $12.16B、foundry/logic 占系統營收 ~59%;製程控制整體市佔自 2021 以來 +360bp、約為次大對手 7 倍。HBM/AI 先進封裝形成新拉動:KLA 2026 先進封裝製程控制營收預估由 2025 的 $6.35 億『接近翻倍』至約 $10 億,並奪 2025 先進晶圓級封裝(WLP)製程控制第一。KLA 最不受中國出口管制衝擊、循環波動小於沉積/蝕刻(每片 wafer、每個 leading-edge fab 都要過 KLA),是 beta 最低標的。Lasertec(EUV actinic 光罩檢測 ~90% 唯一商用,無合格光罩檢測即不能量產 ≤7nm)。Onto Innovation、日立 High-Tech(CD-SEM)、ASML(HMI) e-beam 補位。中國:武漢精測(Wuhan Jingce)量檢測國產化。

公司市佔/地位角色
[US] KLA (KLAC)製程控制 ~56%(自 2021 +360bp、約次大對手 7 倍)FY2025 $12.16B;先進封裝製程控制 2026 由 $6.35 億『接近翻倍』至約 $10 億、奪 2025 WLP 製程控制第一;『不可殺死的訂閱』、最低中國曝險
[JP] Lasertec (6920.T)EUV 光罩檢測 ~90%EUV 光罩/空白光罩 actinic 檢測全球 ~90% 近獨佔、唯一商用真波長(13.5nm)檢測機,供應 TSMC/Samsung/Intel 及光罩廠;無合格光罩檢測即無法量產 ≤7nm,是 EUV 導入的隱形鎖喉單點
[US] Onto Innovation (ONTO)薄膜量測/先進封裝檢測利基光學薄膜量測與先進封裝檢測利基領導,Iris/Echo/Firefly 切 AI HBM 混合鍵合與面板級封裝,主要對手 KLA/Camtek;封裝良率量檢測隨 CoWoS/HBM 爆量、為 KLA 外快速成長的第二源
[JP] 日立 High-Tech (6501.T)CD-SEM 領導臨界尺寸電子顯微鏡(CD-SEM)全球領導,供應先進邏輯/記憶體晶圓廠量測線寬;製程微縮後奈米級 CD 須用 SEM 逐點量測,是 overlay/CD 良率管理的關鍵計量設備
[NL] ASML (HMI) (ASML)multi-beam e-beam 檢測多電子束(multi-beam) e-beam 缺陷檢測(原台廠漢微科 HMI),供應先進節點晶圓廠隱藏缺陷檢測;e-beam 解析度勝光學、多束並行解決速度瓶頸,是 KLA 光學檢測外的互補源
[CN] 武漢精測 Wuhan Jingce (300567.SZ)中國量檢測國產化中國半導體量檢測國產化主力,膜厚/OCD/電子束缺陷檢測供應 SMIC 與本土記憶體大廠,切入 KLA 壟斷的製程控制環節;受惠中國記憶體擴產與國產替代,半導體部門年增約 40%,2025 淨利估年增近 3 倍

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清洗 / 塗顯 / 熱處理 / 切割研磨 Clean · Track · Thermal · Dicing

晶圓清洗、塗佈顯影(coater/developer track)、退火熱處理與切割/研磨——台日設備廠最強勢的環節,且因先進封裝(CoWoS)爆量而成長最猛。

單片清洗:SCREEN(7735.T)+ TEL + Lam 合占 >82%;塗顯 track:TEL/SCREEN 雙雄;退火:Veeco/AMAT。切割/研磨:Disco(6146.T)60-70% 近獨佔,FY2025 營收 $2.6B(+22%),先進封裝晶圓薄化/分割直接受惠。中國清洗:ACM Research(盛美,中國清洗領導)。台廠彈性軍團(CoWoS 受惠):辛耘(3583,前八月 +20.6%、全年首破百億、自製設備+再生晶圓占比破五成)、京鼎(3413,Q3'25 營收 55.42 億創新高、EPS 6.10、EUV pod 自動化兩機種量產)、家登(3680,EUV 光罩盒 pod 全球領導、FOUP 份額快升、傳入列 CoPoS)。

公司市佔/地位角色
[JP] SCREEN Holdings (7735.T)單片清洗龍頭 / 塗顯雙雄單片晶圓清洗全球龍頭(與 TEL/Lam 合占 >82%),塗佈顯影 track 與 TEL 雙寡占,供應各先進晶圓廠;每道製程間都需清洗去除微粒殘留、屬高頻剛需,清潔度直接決定良率
[JP] Disco (6146.T)切割/研磨 70-80%晶圓切割鋸與研磨機全球 70-80% 近獨佔,供應 TSMC/Samsung/SK Hynix;CoWoS/HBM 先進封裝晶圓薄化與分割直接受惠,刀輪/砂輪耗材占營收約 20-25% 隨裝機量遞增,是高黏著循環+訂閱式現金流
[JP] Tokyo Electron (8035.T)塗顯/清洗雙雄五強設備廠中唯一橫跨蝕刻+塗顯+清洗+沉積四環節的日廠,塗顯 track 與 SCREEN 雙寡占,供應 TSMC/Samsung/記憶體大廠;多環節通吃使其在先進製程綁定度最高,FY2025 營收 ¥2.43T(+32.8%)
[US] ACM Research (ACMR)中國清洗領導中國晶圓清洗國產化龍頭(US 掛牌、營運重心中國 ACM Shanghai),以 SAPS/TEBO 兆聲波清洗供應 SMIC/CXMT/YMTC;受惠中國記憶體擴產與國產替代政策強制採購本土設備
[TW] 辛耘 Scientech (3583.TW)台廠濕製程/再生晶圓前八月 +20.6%、全年首破百億;自製+再生占比破五成
[TW] 京鼎 Foxsemicon (3413.TW)鴻海系設備代工/模組鴻海系半導體設備代工龍頭,為 AMAT 等國際 OEM 代工蝕刻/薄膜/檢測模組與整機,切入 EUV pod 自動化兩機種量產;綁定國際大廠外包+台積電擴產拉貨,Q3'25 營收 55.42 億創高、EPS 6.10
[TW] 家登 Gudeng (3680.TWO)EUV 光罩盒 pod 全球領導EUV 光罩傳送盒(pod)全球領導廠,是 ASML/台積電 EUV 產線光罩防污染剛需載具,FOUP 晶圓盒份額快升;傳入列 CoPoS 面板級封裝供應鏈,隨 EUV 裝機量與先進封裝擴張成長

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晶圓代工 / IDM / 記憶體廠 Capex Foundry · IDM · Memory Capex

晶圓代工、IDM 與記憶體廠的資本支出是 WFE 的需求端錨點——AI 先進邏輯(2nm/A16)、HBM/DRAM 與先進封裝三條 capex 同時擴張,驅動設備超級循環。

WFE 2026 經 Lam(4/22)與 KLA(4/29)財報同步上修至『$140B+ 且偏向更高』(原 SEMI $135.2B、Barclays $154B),2027 上看 $156–210B、Cantor 估 2029 達 $250B;兩家均預期 2027 成長再優於 2026,市場 re-rating『AI 循環延到 2027-2028』獲財報背書。⚡新訊(2026/06):Wells Fargo 6/22 再上修 2027 WFE 至 ~$190B(原 $180B)、2028 至 ~$216B(原 $191B),並把 ASML 目標價拉至 $2,200、預期 ASML EUV 年產能 2027 可破 90 台且中國需求 2027 回升;Citi 樂觀情境估 2026 WFE ~$145B——分析師端 super-cycle 預估持續向上。需求端:TSMC(代工 ~70%、≤3nm 近獨佔、N2 量產、A16 背面供電)主導全球設備訂單節奏(如暫緩 High-NA 直接牽動 ASML);Samsung/Intel 追趕 GAA;記憶體 SK Hynix/Samsung/Micron(DRAM+HBM、NAND 設備 2026 +12.7%→$15.7B);中國 SMIC/CXMT/YMTC 受國產化政策強制扶植本土設備——在『新增產能須採購 >50% 國產設備』基礎上,傳設定 2027 年設備在地化 70% 目標(SMEE、NAURA 居前),惟微影仍為最大缺口。WFE intensity 隨製程微縮與 3D 化結構性上升。⚠ 2025 起中國經東南亞轉口的設備進口量激增、已超越自美直接出貨,成美荷日管制體系新規避通道;BIS 預計 2026 下半年才推出取代 AI Diffusion Rule 的新框架,管制不確定性升高,影響 Lam/AMAT/TEL 高中國曝險廠營收能見度。⚡新訊:美中達成貿易協議、BIS『50% 關聯方規則』(Affiliates Rule,原將管制延伸至清單實體持股 ≥50% 子公司) 暫緩實施一年至 2026/11/9——短期降低設備廠對中出貨額外受限風險,惟一年後仍可能重啟。⚠ 高 beta 循環股,capex 一旦放緩回檔劇烈。

公司市佔/地位角色
[TW] TSMC 台積電 (2330.TW)代工 ~70% / 設備最大買家晶圓代工 ~70%、≤3nm 近獨佔的全球設備最大單一買家,其 capex 節奏主導 ASML/AMAT/Lam/KLA 訂單能見度;2026/04 暫緩 High-NA 至 1.4nm 後即直接牽動 ASML 出貨,是整條 WFE 鏈的需求錨點
[KR] Samsung 三星 (005930.KS)代工+記憶體 capex唯一橫跨先進代工(SF2 GAA)+DRAM/HBM+NAND 三線擴產的 IDM,設備採購面最廣;首批 High-NA EUV 早期客戶,先進邏輯與記憶體同步 capex 使其成為五強設備廠的關鍵成長引擎
[US] Intel (INTC)IDM capex美系先進 IDM,18A 量產、14A 導入背面供電(PowerVia),是 ASML High-NA EUV EXE:5200B 全球首位採用者;IDM 2.0+晶圓代工擴產帶來歐美在地設備需求,牽引 ASML 高階機台出貨
[KR] SK Hynix (000660.KS)HBM ~50-55% 龍頭全球 HBM 龍頭(~50-55%),握 Nvidia Vera Rubin HBM4 約七成訂單,是 AI 記憶體最大受益者;為 HBM4/1c DRAM 擴產大舉上修設備 capex(1c 產能 2026 底衝 8-9 倍),成 ASML/AMAT/Lam 記憶體端關鍵成長引擎
[US] Micron (MU)DRAM/NAND capex美系記憶體擴產;Q3'FY26(6/24)營收創紀錄 $41.46B、HBM 2026 全數簽約,FY26 capex 上修至 ~$27B(原$25B)、FY27 建廠 capex 再 +$10B YoY;2026 DRAM 供需缺口 4.9% 為 15 年最嚴重
[HK] SMIC 中芯國際 (0981.HK)中國最大晶圓代工 / 國產設備驗證中國最大晶圓代工廠、國產設備最大買家與驗證平台,受政策扶植優先採購本土設備(50%→傳 2027 目標 70%);AMEC 14nm 蝕刻、NAURA 28nm 已量產導入,是 NAURA/AMEC/華海清科等國產鏈的需求錨點

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常見問答 FAQ

半導體前段設備供應鏈 (Wafer Fab Equipment)是什麼?
Wafer Fab Equipment — 晶圓廠前段設備是 AI/2nm/HBM 資本支出的核心鏟子。五強寡占(ASML 光刻獨佔 EUV、Applied Materials WFE ~19% 最大廠、Lam 蝕刻龍頭、Tokyo Electron、KLA 製程控制 ~56%)+ 細分獨佔(Lasertec EUV 光罩檢測 ~90%、Disco 切割研磨 60-70%、ASM 單片 ALD >55%、VAT 真空閥 ~34%)。2026 WFE 上看 $135–154B、2027 達 $156–210B,AI 先進邏輯+HBM/DRAM+先進封裝三條 capex 齊揚,市場 re-rating 循環延到 2027-28。台日彈性標的辛耘/弘塑/家登/京鼎/Disc…
半導體前段設備供應鏈有哪些關鍵環節?
本主題涵蓋 8 個上下游環節:設備子系統 / 關鍵零組件、微影 EUV / High-NA / DUV、沉積 CVD / PVD / ALD / Epi、蝕刻 Etch / ALE、CMP / 離子植入、量檢測 / 製程控制、清洗 / 塗顯 / 熱處理 / 切割研磨、晶圓代工 / IDM / 記憶體廠 Capex。
半導體前段設備的龍頭/領先公司有哪些?
關鍵公司包括:VAT Group(VACN.SW)、MKS Instruments(MKSI)、Advanced Energy(AEIS)、ASML(ASML)、Nikon(7731.T)、Canon(7751.T)、Applied Materials(AMAT)、ASM International(ASM.AS)。各環節市佔與競爭態勢詳見供應鏈地圖。
台股半導體前段設備概念股有哪些?
台灣上市櫃相關個股:弘塑 Grand Process Tech(3131.TWO)、辛耘 Scientech(3583.TW)、京鼎 Foxsemicon(3413.TW)、家登 Gudeng(3680.TWO)、TSMC 台積電(2330.TW)。僅供研究參考,非投資建議。
半導體前段設備市場規模與成長性如何?
關鍵數據:WFE 共同上游。各環節完整市場規模與成長率見地圖節點。
半導體前段設備最新發展?
半導體前段設備檔有真正淨新進展(2026 年 6 月下旬):Wells Fargo 6/22 再上修 WFE 預估(2027 ~$190B、2028 ~$216B)並把 ASML 目標價拉至 $2,200、估 EUV 年產能 2027 破 90 台、中國需求 2027 回升;Citi 樂觀情境估 2026 ~$145B;Micron 6/24 Q3'FY26 營收創紀錄 $41.46B、capex 上修;美中協議使 BIS 50% 關聯方規則暫緩一年至 2026/11/9。已對 stats、demand 節點分析、Micron/ASML 公司 note、來源做外科式更新,並通過 JS 解析與來源驗證。(更新日 2026-06-30)

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