半導體材料供應鏈
Semiconductor Materials — 晶片製造的「血液」，涵蓋矽晶圓、光阻、CMP 耗材、濺鍍靶材、電子特氣、ALD/CVD 前驅物、濕化學品、光罩坯料/pellicle，到封裝端 EMC/ABF 膜/底填/銲料。日廠在最上游近乎壟斷（信越+SUMCO 矽晶圓 ~54%、TOK/JSR EUV 光阻 >95%、味之素 ABF 膜 ~95%、Hoya EUV 光罩坯料 >75%），台/中廠則在 CMP、靶材、濕化學、特氣力推本土替代。2nm/HBM/CoWoS 拉動高階材料需求。
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多晶矽 / 石英 / 高純原料 Polysilicon · Quartz · Raw
電子級多晶矽（EG-poly，11N）、高純石英砂/坩堝、超高純金屬與氣體前體，是晶圓與材料的最上游。
電子級多晶矽（半導體用，純度遠高於太陽能級）由 Wacker、信越（德山 Tokuyama）、OCI 等少數廠供應；高純石英砂（IOTA）由美 Sibelco/挪威 TQC 近寡占；中系大全/協鑫切入電子級。半導體級石英坩堝為晶圓拉晶關鍵耗材。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
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| [DE] Wacker Chemie (WCH.DE) | 電子級多晶矽 ~90% | 獨供全球約 90% 電子級多晶矽、與 Hemlock 兩家佔半導體級 ~75%；11N 超高純為信越/SUMCO 拉晶原料，換供應商需重認證，是矽晶圓最上游卡位者 |
| [JP] 德山 Tokuyama / 信越 (4043.T / 4063.T) | EG-poly 前五 | 日系半導體級多晶矽雙供、與 Wacker/Hemlock/OCI 併列全球五大；就近供信越/SUMCO 拉晶，德山另與 OCI 合資馬來西亞 OTSM 廠(2029) |
| [KR] OCI (010060.KS) | 半導體級 poly 五大 | 韓國唯一半導體級多晶矽廠(韓廠 ~4,700 噸)、供三星/海力士/日台客戶；與德山合資 OTSM 馬來西亞新廠 2029 量產以擴 11N 供給 |
| [EU] Sibelco / TQC (— / —) | 高純石英砂近寡占 | 美 Sibelco 旗下 IOTA 與挪威 TQC 近寡占半導體級高純石英砂/坩堝，為拉晶單次消耗關鍵耗材、產地稀缺無替代（未上市） |
| [CN] 大全能源 / 協鑫 (688303.SS / 03800.HK) | 電子級切入 | 中系太陽能級多晶矽龍頭跨入電子級(EG-poly)，供本土滬硅/立昂微拉晶、加速矽料國產化；惟半導體級 11N 高純度良率仍落後 Wacker/信越/德山日德廠 |
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矽晶圓 / 磊晶晶圓 Silicon Wafer · Epi
晶片的基板——12 吋（300mm）拋光/磊晶矽晶圓；前五大近寡占，日廠雙雄主導。
產業競爭力（4 步）：(1) 位置——信越(領導 ~28-30%)+SUMCO(次強 ~22%)兩日廠合計 ~52-54% 雙占咽喉，前五大(信越/SUMCO/環球晶/Siltronic/SK Siltron)約占價值 ~80-82%(2023)；SEMI 口徑 2026Q1 前五合計約 ~72.6%。(2) 護城河類型——『客戶認證綁定』重於產能：先進 fab 換晶圓供應商需數年重認證(2nm/3nm 拋光+磊晶良率逐一驗證)，是所有材料節點中認證黏性最高者，非資本開支能速成。(3) 競爭態勢——雙占者寧減資本支出護價也不打量戰：SUMCO 2026/4 無限期延後佐賀兩新廠(原投資 ¥2,250 億、補助縮至 ¥193 億)、策略退出 200mm 專攻 AI 級 300mm，Q1 FY2026 營業虧損 ¥53 億但 Q2 指引轉盈、H2 2026 300mm 長約調價驅動 FY2027 回升；環球晶(最大台廠、併 Siltronic 後仍獨立)2026Q1 稱週期底部確立、規劃 H2 漲價、2026/1 啟德州 Sherman Phase 2。(4) 破口（絃外之音）——真正威脅不是中系(滬硅/立昂微八廠合計僅 ~4%、高階磊晶良率落後)，而是 AI 拉動下先進 300mm 緊俏/成熟 200mm 續弱的兩極化：2026Q1 出貨 3,275 MSI、YoY +13.1% 全靠 AI 資料中心，消費/工業/車用復甦若跳票、雙占者護價策略反成盈利脆弱點。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
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| [JP] 信越化學 Shin-Etsu (4063.T) | 全球第一 ~28-30% | 矽晶圓全球龍頭(~28-30%)、月產 >220 萬片，與 SUMCO 兩日廠合計 ~54% 雙占咽喉；供台積電/三星/Intel 等所有先進 fab，2nm/3nm 拋光+磊晶用晶圓換供應商需數年重認證是護城河 |
| [JP] SUMCO (3436.T) | 全球第二 ~22% | 與信越合計 ~54%；Q1 FY2026 營業虧損 ¥53億（淨損 ¥85億、EPS -24.22）、2026/4 無限期延後佐賀兩新廠；策略退出 200mm 專攻 AI 級 300mm，H2 2026 長約料調漲 |
| [TW] 環球晶 GlobalWafers (6488.TWO) | 全球第三 | 最大台廠、併 Siltronic；德州 Sherman 廠 2025/5 開幕、2026/1 啟動 Phase 2（總投資上看 $75 億、產能倍增）供美系 |
| [DE] Siltronic / SK Siltron (WAF.DE / —) | 前五（德/韓） | 德 Siltronic 與韓 SK Siltron(SK 集團、未上市)並列全球前五、合計約 ~18%；SK Siltron 為三星/海力士在地供料主力，Siltronic 供歐美 fab，補足日系雙占外的第二供應源 |
| [CN] 滬硅產業 / 立昂微 (688126.SS / 605358.SS) | 本土替代 ~4% | 滬硅(NSIG)為中國 300mm 先行者、月產能已達 ~25 萬片，與立昂微供中芯/華虹等本土 fab；中系八廠合計僅 ~4% 全球份額、高階磊晶與良率仍落後日系 |
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前段製程材料總成 Front-end Process Materials
晶圓在晶圓廠（fab）內歷經沉積→微影→蝕刻→CMP→清洗，所需的光阻、特氣、前驅物、靶材、CMP 耗材、濕化學的總成節點（細項見上下游 rail）。
前段材料占半導體材料市場約六成，日廠在光阻/前驅物/特氣高度集中（如 EUV 光阻日系 >95%）；台積電在台/美/日在地化，帶動台廠（達興/長春/三福）與台設靶材廠卡位；中系藉 2025 出口管制與國產化加速替代。2nm（GAA）與高階 DRAM 推升 high-k 前驅物、特氣與光阻用量。絃外之音：日廠刻意把單一咽喉材料拆成三家供（EUV 光阻 JSR+TOK+信越、EUV 坯料 Hoya+AGC），故無單一玩家 >70% 卻有集體定價權與斷供風險——帳面「寡占」實為「協同單點」。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
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| [TW] TSMC（材料拉貨方） (2330.TW) | 最大用戶 | 全球最大前段材料買家、帶動台灣成最大材料消費地(~25%)；要求供應商在台/美/日在地設廠共同開發(如 JSR 雲林光阻廠)、其認證是材料廠護城河來源 |
| [KR] Samsung / SK hynix (005930.KS / 000660.KS) | 記憶體/邏輯用戶 | 全球 DRAM/HBM 雙雄、拉動 high-k 前驅物(ADEKA)與 EUV 光阻用量；扶植 SK Materials/Soulbrain/DNF 等韓系材料自主供應鏈 |
| [US] Intel / Micron (INTC / MU) | 美系用戶 | 美系邏輯/DRAM 用戶、CHIPS 法案下美國新 fab 帶動 Linde/Air Products/Entegris 在地供料，分散對亞洲材料的地緣依賴 |
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封裝材料總成 Packaging Materials
晶圓切割後進入封裝，所需的 ABF 載板膜/BT 樹脂、EMC 環氧封膠、底填/NCF、銲料微凸塊、PSPI 介電、晶圓級液態封裝材的總成節點（細項見下游 rail）。
封裝材料約占材料市場四成，日廠主導（味之素 ABF 膜 ~95%、住友電木 EMC、旭化成 PSPI）。真正最深咽喉是味之素 ABF（~95%、無第二來源、漲價 ~30% 仍滿單）與日東紡 T-glass（~80%，2026Q4 訂單已滿、Apple/Nvidia/Google/Amazon 爭搶）——AI 載板瓶頸已從『矽』下移到『布與膜』。AI/HBM/CoWoS 推升高階 ABF、底填、NCF、PSPI 需求；2026 上半年 ABF 重回缺貨、味之素漲價 ~30%、ABF 事業利潤率 >50%，並購地建岐阜可兒新廠（2028 動工、2032 投產）；台廠長春/長興、台光電（CCL）為配套。詳見 CoWoS 主題的封裝材料節點。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
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| [JP] 味之素 Ajinomoto (2802.T) | ABF 膜 ~95% | 全鏈最深單點 |
| [JP] 住友電木 Sumitomo Bakelite (4203.T) | EMC 全球第一 ~20% | 環氧封裝材(EMC)全球龍頭(~20%)、molding 主力，低翹曲/低填料高階配方供 AI 大尺寸封裝;供全球 OSAT/IDM，是封裝成型的最大單一供者 |
| [JP] Resonac 昭和電工 (4004.T) | EMC/CCL/CMP | 封裝材料綜合大廠、橫跨 EMC/CCL/CMP slurry/DAF 黏晶膜/銅箔;2026/3 起銅箔/CCL 材料全面漲 30%+，是少數涵蓋前後段的一站式材料供者 |
| [TW] 長春 Chang Chun / 台光電 (— / 2383.TW) | EMC/CCL 配套 | 長春為台灣最大環氧樹脂/EMC 一貫廠、垂直整合自製原料供台系封測(未上市);台光電為 AI 伺服器高速 CCL 全球領導，兩者撐起台系封裝/載板材料在地配套 |
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化合物 / 特殊基板 Compound · Specialty Substrate
SiC（碳化矽）、GaN（氮化鎵）、InP、藍寶石等化合物半導體與特殊基板，供功率/射頻/光電元件。
產業競爭力（4 步）：(1) 位置——龍頭易主：2024 Wolfspeed 以 ~34% 居首、天科合達(TanKeBlue)~17.3%、天岳先進(SICC)~17.1%；但 2025 SICC 依 Fuji Keizai 已同時奪下 6 吋與 8 吋 SiC 基板全球第一（8 吋份額 >50%），Wolfspeed 退居第二、中系合計已控 SiC 基板 ~40%。(2) 護城河類型——SiC 為『資本/產能門檻＋長晶良率 know-how』型，非製程認證咽喉；長晶爐規模、8 吋良率與電費/折舊成本決定成敗，故無單一不可替代者。(3) 競爭態勢——高度商品化中：2025-26 供過於求、6 吋報價兩年由 $1,500 崩至中系 ~$500（近成本），8 吋滲透率 2026 估由 <2% 升至 ~15%、AI 資料中心 800V 電源成新成長引擎；中系以電費/規模成本優勢打價格戰吃份額。(4) 破口（絃外之音）——這是少數『西方龍頭被中系整碗端走』的材料節點：Wolfspeed 2025/9 脫離 Ch.11（債務-70%）、2026 關 Durham 150mm 全轉 Mohawk Valley 200mm，但價格戰下龍頭仍難獲利；SICC 領導地位靠內需與補貼支撐，一旦中國車用需求或補貼退坡、8 吋良率戰翻盤即可能再洗牌。GaN-on-Si 由穩懋/IQE/Soitec QST 布局；InP 基板住友/AXT/JX 三強控 >90%（見矽光子）。環球晶/SK Siltron CSS 切入 SiC。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
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| [US] Wolfspeed (WOLF) | SiC 基板 全球第二(2025) | 追趕者（原龍頭）：2024 ~34% 居首，2025 遭 SICC 超車退居第二；2025/9 脫離 Ch.11(債務-70%)、2026 關閉 Durham 150mm 廠全轉 Mohawk Valley 200mm；6 吋報價兩年由 $1,500 崩至中系 $500，價格戰下仍難獲利 |
| [CN] 天岳先進 SICC / 天科合達 TanKeBlue (688234.SS / —) | SICC 全球第一(2025) / TanKeBlue 前三 | 領導：SICC 依 Fuji Keizai 於 2025 同時奪 6 吋與 8 吋 SiC 基板全球第一（8 吋份額 >50%），三年由前三→第二(2024)→第一(2025)超越 Wolfspeed；上海臨港廠 2023 中投產為關鍵。天科合達 2024 ~17.3%；天岳=STAR、天科合達=新三板 870013 非主板 |
| [US] Coherent (COHR) | SiC 基板 ~13.9% | SiC 基板全球第四(~13.9%)、垂直整合自 SiC 晶體至光電/功率元件；供車用/功率客戶，並向外售 SiC 基板與雷射光學材料 |
| [TW] 環球晶 / SK Siltron CSS (6488.TWO / —) | SiC 基板切入 | 環球晶以矽晶圓龍頭跨入 SiC 基板、SK Siltron CSS(收購 Dupont SiC 事業)為韓系 SiC 供應者；供功率半導體客戶,趁 8 吋轉換擴大份額(CSS 未上市) |
| [TW] 穩懋 / IQE (3105.TWO / IQE.L) | 化合物磊晶代工領先 | 穩懋為全球最大砷化鎵(GaAs)射頻代工、IQE 為化合物磊晶片(epi wafer)龍頭；供射頻前端與 GaN 功率/快充客戶，磊晶片是化合物元件上游基材 |
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晶圓代工 / OSAT / 終端需求 Foundry · OSAT (Demand)
半導體材料的最終買家：晶圓代工（前段材料）、OSAT/IDM 封測（封裝材料），背後是 AI/HPC、車用、消費終端需求。
全球半導體材料市場 2025 約 700 億美元（前段+封裝），台灣連續多年為最大材料消費地（占 ~25%，因台積電在地化）。AI/HBM/先進封裝拉動高階材料（EUV 光阻、high-k 前驅物、ABF 膜、PSPI、底填）；成熟製程與車用支撐特氣/濕化學量。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
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| [TW] TSMC（前段材料最大買家） (2330.TW) | 材料最大用戶 | 全球最大前段材料買家、帶動台灣成最大材料消費地(~25%)；要求供應商在台在地設廠共同開發(如 JSR 雲林光阻廠)、其認證是所有材料廠的護城河來源 |
| [KR] Samsung / Intel / SK hynix (005930.KS / INTC / 000660.KS) | IDM 用戶 | 全球 IDM 邏輯/DRAM/HBM 用戶、三星拉動 ADEKA high-k、海力士拉動 EUV 光阻與 NCF；扶植韓系(SK Materials/Soulbrain)去日化，是亞洲前段材料第二拉貨源 |
| [TW] ASE / Amkor / 日月光 (3711.TW / AMKR / 3711.TW) | 封裝材料買家 | 全球最大 OSAT 封測、日月光/Amkor 為 EMC/底填/NCF/DAF/打線材最終買家；CoWoS/HBM 先進封裝放量直接拉動高階封裝材料用量,是封裝材料的需求端閘口 |
| [US] Nvidia / AMD（終端） (NVDA / AMD) | AI 終端拉動 | AI GPU/ASIC 終端龍頭、是 ABF 膜/T-glass/HVLP 銅箔/EUV 光阻等高階材料的需求源頭;2026 Nvidia 越過 CCL 廠直接向上游銅箔/玻纖布鎖料，改寫材料供需話語權 |
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光阻 / 顯影 / BARC Photoresist · Developer
微影核心材料——ArF/KrF/EUV 光阻、顯影液、抗反射層（BARC）、EBR 邊緣去膠。
全球光阻日系 >90%、高階 EUV 光阻日系 >95%（TOK ~30% 整體第一、JSR+信越合計近 40%、Fujifilm/住友化學/DuPont 補）。JSR 為 EUV 光阻技術領導（2024 被日本政府基金 JIC 私有化、保護國家戰略材料）；2026/5 JSR 宣布在台（雲林）建首座光阻廠（最快 2028 投產）、就近供應/共同開發 TSMC 先進 EUV 光阻，JSR 在韓的 MOR（金屬氧化物光阻，源自併購 Inpria 的錫氧化物技術）廠 2026 內量產供三星/海力士、TOK 另投 ¥200 億建韓國光阻廠 2030 投產。TOK FY2025 營收 ¥2,370 億（+17.9% YoY）、營業利益 +43.2% 創高。絃外之音：下世代 MOR（金屬氧化物光阻）格局 2026/5/27 出現重大整併——JSR/Inpria 與 Entegris 簽 EUV MOR 專利非獨家交互授權、撤回 IPR2025-00267 專利訴訟並合作 MOR 配方+前驅物+專用過濾，把『JSR 配方領導+Entegris MOR 前驅物/過濾』綁進同一陣營、墊高中系 EUV 追趕門檻。中系南大光電/彤程新材/晶瑞推 KrF/ArF 本土替代、EUV 仍空白。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
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| [JP] JSR (—) | EUV 光阻領導 | EUV 光阻技術領導、握併購 Inpria 的錫氧化物金屬光阻(MOR)配方；供 TSMC/Intel/三星共同開發，2024 被日本政府基金 JIC 私有化下市保護國家戰略材料，雲林建廠就近供 TSMC 2nm |
| [JP] Tokyo Ohka 東京應化 TOK (4186.T) | 整體 ~30% 第一 | 半導體光阻整體全球第一(~30%)、EUV 光阻日系 >95% 的核心供者；與 Intel 共同開發 sub-2nm 光阻，供 TSMC/三星，FY2025 營收+17.9% 創高、赴韓建廠就近供三星/海力士 |
| [JP] 信越化學 Shin-Etsu (4063.T) | EUV 光阻前三 | EUV 光阻日系三強之一、與 JSR 合計近 40%；憑矽晶圓+光阻雙料領導綁定先進 fab，供 TSMC/三星高階微影，是 EUV 光阻少數具量產供貨資格者 |
| [JP] 住友化學 / Fujifilm / DuPont (4005.T / 4901.T / DD) | 光阻五強 | 住友化學/Fujifilm 為日系光阻五強尾段、美 DuPont 補 ArF/KrF 與顯影配套；填補 EUV 外的 DUV 光阻與顯影液需求，供全球邏輯/記憶體 fab |
| [US] Entegris (ENTG) | MOR 前驅物/過濾 | 2026/5/27 與 JSR/Inpria 簽 EUV MOR 專利非獨家交互授權+撤訴+合作開發、切入下世代金屬氧化物光阻陣營 |
| [CN] 南大光電 / 彤程新材 / 晶瑞 (300346.SZ / 603650.SS / 300655.SZ) | 本土替代 | 中系光阻國產替代主力，彤程新材(北旭電子)ArF 已供中芯驗證、南大兼前驅物、晶瑞供 KrF；填補中低階 DUV 本土供給，惟 EUV 光阻仍空白待突破 |
資料來源
電子特氣 / 大宗氣體 Specialty & Bulk Gases
蝕刻/沉積/摻雜用電子特氣（NF₃、WF₆、含氟氣體、矽烷、摻雜氣）與大宗氣體（N₂/H₂/Ar/He）。
四大工業氣體 Linde/Air Products/Air Liquide/大陽日酸（Nippon Sanso）主導，前三合計 >35%；特氣含氟由 Merck/關東電化/SK specialty 補。台廠聯華林德（Linde 合資）、亞東工業氣體；中系華特氣體（國產特氣龍頭）、金宏氣體、南大光電（前驅物兼特氣）力推本土替代（2025 含鎵/鍺出口管制加速國產化）。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
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| [US] Linde (LIN) | 工業氣體全球第一 | 全球工業氣體龍頭、四大合計主導特氣；就近晶圓廠管線供 N₂/H₂/Ar 大宗氣與 NF₃/WF₆ 蝕刻氣，供 TSMC/三星等，台灣擴產 NF₃/WF₆ +40%、綁定長約高轉換成本 |
| [FR] Air Liquide (AI.PA) | 工業氣體前三 | 四大工業氣體之一、兼 ALD/CVD 前驅物 ~16% 次席；於美國/亞洲晶圓廠旁設氣體廠就近供料，6N 純度與現場總包(TGCM)為黏著點 |
| [US] Air Products / 大陽日酸 (APD / 4091.T) | 工業氣體前三/日系 | Air Products 為四大之一、大陽日酸(Nippon Sanso)為日系特氣龍頭；供 fab 大宗與特種氣體，運輸半徑短使在地供應具天然寡占 |
| [DE] Merck / 關東電化 (MRK.DE / 4047.T) | 含氟特氣領先 | Merck(EMD)兼含氟蝕刻氣與前驅物 ~21% 龍頭、關東電化為含氟氣(NF₃/C₄F₆等)專精廠；填補四大氣體廠外的高階蝕刻特氣咽喉 |
| [CN] 華特氣體 / 金宏氣體 (688268.SS / 688106.SS) | 國產特氣龍頭 | 華特為中國電子特氣國產龍頭、含氟蝕刻氣(如 C₄F₆)率先通過中芯/華虹驗證；供本土 fab 去日化替代，2025 含鎵/鍺出口管制加速國產特氣自主，惟高階摻雜氣仍賴進口 |
資料來源
ALD/CVD 前驅物 / high-k ALD/CVD Precursors
原子層/化學氣相沉積用金屬有機前驅物（Hf/Zr high-k、W、Ti/Ta 阻障、Mo、SiN 前驅物）。
Merck（~21%）整體第一、Air Liquide（~16%）次之，供 >1,200 配方；韓系 SK Materials/DNF/Soulbrain/Hansol 為三星/海力士配套大宗；ADEKA（日）high-k 強；台廠（UP Chemical 被韓收）量小。中系雅克科技（前驅物 + 電子特氣 + LDS 光刻膠平台）、南大光電本土替代。2nm GAA 與高階 DRAM 推升 high-k 用量。2026/1 中國對日本二氯矽烷（dichlorosilane，SiN 前驅物原料）發起反傾銷調查反制，加速 SiN 前驅物國產化。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
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| [DE] Merck (EMD) (MRK.DE) | 前驅物 ~21% | ALD/CVD 前驅物全球第一(~21%)、供逾 1,200 種配方涵蓋 high-k/阻障/晶種；配方廣度+純度+全球 fab 認證綁定製程，供三星/TSMC/Intel high-k 沉積難換料 |
| [FR] Air Liquide (AI.PA) | 前驅物 ~16% | ALD/CVD 前驅物全球第二(~16%)、6N 純度且逾 300 座 fab 認證，供全球邏輯/記憶體廠 high-k 與阻障層沉積，配方與純度綁定製程難換料 |
| [JP] ADEKA (4401.T) | 先進記憶體 high-k >50% | 領導(受挑戰)：先進記憶體 high-k 介電材料全球 >50%、三星約 80% 鉿(Hf)前驅物向其採購；但已非獨家——因 TCLC 核心專利遭韓國法院判有效、握韓國授權的 SK trichem 已切入、三星 2025 起把約 20% Hf 前驅物轉向 SK trichem；DRAM 電容縮微(<10nm)剛需仍是 high-k 沉積隱形咽喉，惟專利與去日化正鬆動其獨佔 |
| [KR] SK Materials / DNF / Soulbrain (— / 092070.KQ / 357780.KQ) | 韓系配套主力 | 三星/海力士自主供應鏈核心，供 SiN/high-k 前驅物與特氣，為韓系記憶體去日化/國產替代主力、綁定內需大客戶 |
| [CN] 雅克科技 / 南大光電 (002409.SZ / 300346.SZ) | 本土替代 | 雅克為中系少數「前驅物+電子特氣+LDS 光刻膠」平台型供者、南大兼 SiN 前驅物；供中芯/長江存儲 high-k 與 SiN 沉積國產替代，2026 中國反制日本二氯矽烷加速本土化 |
資料來源
濺鍍靶材 Sputtering Targets
PVD 濺鍍用高純金屬靶材（Cu/Al/Ti/Ta/W/Co/Ru），用於金屬化、阻障、晶種與 RDL/TSV。
產業競爭力：JX Advanced Metals（前 JX 金屬，2025/3 東京 IPO）自陳半導體靶材約 60% 全球第一、近乎獨大，美系 Honeywell/Materion 為第二梯隊，日礦/三井金屬補；護城河為 6N+ 高純度精煉＋擴散接合背板技術＋先進 fab 逐一認證，換靶需製程重驗證。挑戰者：台廠光洋應材（再生靶材+靶材、供台積電）；中系江豐電子（國產靶材龍頭、12 吋高階已過中芯/台積電/SK Hynix 認證）、隆運/有研新材本土替代咬進中階，但先進金屬化高階靶仍以 JX/美系為主。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
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| [JP] JX Advanced Metals (5016.T) | 半導體靶材 ~60% 全球第一 | 領導(近獨大)：半導體濺鍍靶材全球龍頭、公司自陳約 60% 全球市佔(2025/3 東京 IPO)；供先進金屬化/阻障/晶種層，高純度(6N+)與擴散接合背板技術為門檻，綁定台積電/三星等先進 fab |
| [US] Honeywell / Materion (HON / MTRN) | 靶材第二梯隊 | 次強：美系高階濺鍍靶材第二梯隊(僅次於 JX ~60%)；供先進金屬化/阻障層，靶材純度(6N+)與擴散接合背板技術為門檻，綁定美系 fab |
| [JP] 三井金屬 / 住友化學 (5706.T / 4005.T) | 日系靶材第二梯隊 | 日系靶材第二梯隊，三井金屬另為 HVLP 超薄銅箔龍頭；供邏輯/記憶體金屬化與合金靶，日系材料生態內配套供應 |
| [CN] 江豐電子 Jiangfeng (300666.SZ) | 國產靶材龍頭 | 中國高純靶材國產龍頭、12 吋高階已通過中芯/台積電/SK Hynix 供應商認證；供先進 IC 金屬化 PVD，本土替代主力兼切入第三代半導體/IGBT 靶材 |
| [TW] 光洋應材 / 隆運 (1786.TWO / —) | 再生靶/靶材 | 光洋應材(1786.TWO)為台系貴金屬靶與再生靶龍頭、就近供台積電；靶材回收再製降成本、綁定台廠先進製程靶材消耗放量(隆運未上市) |
資料來源
CMP 研磨液 / 研磨墊 CMP Slurry · Pad
化學機械研磨耗材：研磨液（slurry）、研磨墊（pad）、鑽石碟、保持環。
產業競爭力（4 步）：(1) 位置——CMP pad 由 Qnity（原 DuPont 電子事業，2025/11/1 從杜邦分拆、NYSE 獨立上市）以 ~80% 近獨佔（前三 DuPont/Qnity+Entegris+鼎龍合計 ~82%）、IC1000/Ikonic 系列為二十年業界標準；slurry 較分散——Entegris(併 Cabot/CMC ~23%)、Qnity(~22%)、Fujimi(~18-20%)、Resonac、JSR 前五 ~64%。(2) 護城河類型——『製程認證綁定＋每片消耗切換成本』：pad 每片消耗且換料需製程重驗證，TSMC/三星/Intel 全節點鎖定 IC1000 為隱形拋光良率卡口，slurry 則各節點逐一驗證後嵌入。(3) 競爭態勢——pad 幾無實質挑戰者（3M/Fujibo/SK enpulse 份額小），slurry 為 Entegris 一站式(CMP+過濾+沉積)綁定 vs Fujimi 顆粒技術之爭；分拆後 Qnity 成 pure-play 電子材料商反而更聚焦。(4) 破口（絃外之音）——中系鼎龍股份已成 CMP pad 國產第一、打破杜邦壟斷供中芯/長江存儲，安集為 slurry 國產第一，是這座『看似鐵板』單點少數被本土替代咬開的缺口；2026/4 JSR 與 Applied Materials 於新竹設先進 CMP 聯合研發中心瞄準 TSMC，Entegris 2026Q1 營收 $811.9M(+5.0% YoY)、CMP 耗材為成長主力。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
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| [US] Qnity（前 DuPont 電子） (Q) | CMP pad ~80% | 領導/近獨佔：CMP 研磨墊絕對龍頭(~80%、前三 ~82%)、IC1000/Ikonic 系列二十年業界標準；2025/11/1 從杜邦分拆為 pure-play 電子材料商(NYSE)、已與 SK hynix 簽 CMP pad 長約；供台積電/三星/Intel 全節點，pad 每片消耗且換料需製程重驗證是拋光良率隱形卡口 |
| [US] Entegris (Cabot/CMC) (ENTG) | slurry ~23% | 領導(slurry)：併 Cabot(CMC)後 slurry 全球第一(~23%)、於 TSMC/三星各先進節點全認證嵌入，兼 CMP/過濾/沉積材料一站式綁定；換料需製程重驗證是護城河 |
| [JP] Fujimi (5384.T) | slurry ~18–20% | 日系高純研磨材料廠、CMP slurry 全球第三(~18–20%)；氧化物/鎢 slurry 供先進邏輯與記憶體 fab，研磨顆粒粒徑控制與缺陷率為技術門檻 |
| [CN] 安集科技 Anji / 鼎龍 Dinglong (688019.SS / 300054.SZ) | 國產 slurry/pad 龍頭 | 安集為中國 CMP slurry 國產第一、鼎龍為 CMP pad 國產第一(打破 DuPont 壟斷)；供中芯/長江存儲/華虹本土替代，是中系少數 CMP 耗材雙料自主供者 |
| [TW] 中砂 Kinik (1560.TW) | 鑽石碟台廠龍頭 | 台系 CMP 鑽石碟(修整研磨墊)與保持環龍頭、兼再生晶圓；就近供台積電 CMP 耗材與測試片，鑽石碟屬每片消耗、綁定台廠先進製程放量 |
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濕化學品 / 雙氧水 / 蝕刻液 Wet Chemicals · H2O2 · Etchants
高純濕化學品：雙氧水（H₂O₂）、硫酸/氫氟酸/磷酸蝕刻液、TMAH 顯影液、剝離液、SC-1/SC-2 清洗液。
高量低值、運輸半徑短 → 強在地化。國際巨頭 BASF/三菱化學/Stella；台廠達興材料（友達系，光阻剝離/選擇比蝕刻/雷射釋放層，半導體比重續增）、三福化工（TSMC CoWoS 特化、TMAH 回收）、勝一（電子級溶劑）、國精化（雙氧水）。中系晶瑞電子材料（超純化學/雙氧水）、格林達（TMAH 顯影液）、鑫科材料力推國產替代。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
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| [TW] 達興材料 Daxin (5234.TWO) | 面板轉半導體 | 友達系材料廠、由面板轉半導體先進封裝，光阻剝離液/選擇比蝕刻/雷射釋放層(LRL)供台積電 CoWoS；LRL 用於載板暫貼解貼是先進封裝在地配套關鍵、半導體比重續升 |
| [TW] 三福化工 / 勝一 / 國精化 (4755.TWO / 1773.TW / 4722.TW) | TSMC 特化配套 | 三福為台積電 CoWoS 特化濕化學配套+TMAH 回收再生、勝一供電子級溶劑、國精化供雙氧水；運輸半徑短使在地供應具天然黏著、綁定台積電先進製程放量 |
| [DE] BASF / 三菱化學 (BAS.DE / 4188.T) | 高純濕化學國際巨頭 | 全球高純濕化學(雙氧水/硫酸/氨水)規模供應商，就近晶圓廠設純化廠；量大值低靠運輸半徑與純度穩定度綁客戶，供全球一線 fab |
| [CN] 晶瑞電子材料 / 格林達 (300655.SZ / 603931.SS) | 國產替代 | 晶瑞供超純雙氧水/硫酸、格林達為 TMAH 顯影液國產龍頭；供中芯/長江存儲濕製程本土替代，高純度(G5 級)與金屬雜質控制為國產化門檻 |
| [CN] 鑫科材料 / 上海新陽 (600255.SS / 300236.SZ) | 中系濕化學 | 上海新陽為中系半導體電鍍液/清洗液供者、切入先進封裝銅電鍍藥水；供本土 fab 與封測濕化學國產替代，是中系電鍍化學少數量產供者 |
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光罩坯料 / 光罩 / pellicle Mask Blank · Photomask · Pellicle
微影最上游——光罩坯料（mask blank）、空白/成品光罩（photomask）、防塵薄膜（pellicle）。
產業競爭力（4 步）：(1) 位置——EUV 光罩坯料是全鏈最上游雙咽喉：僅 Hoya 與 AGC 二家商業供貨、合計 ~93%（誰居首口徑有爭議：一說 Hoya 以量計 >75%、技術資格更領先；另一說 AGC 依營收 >59%）；信越供 DUV 坯料與合成石英基板。(2) 護城河類型——『製程/技術壁壘＋單一來源』：多層膜(Mo/Si 40+ 層)近零缺陷、平整度與 High-NA 驗證資格極難複製，換坯料需 fab 重新驗證整條微影，是斷供風險最高的隱形單點。(3) 競爭態勢——二家寡占且互為唯一備援，AGC 是 Hoya 之外唯一第二來源、無第三家；商售光罩 Toppan/DNP/Photronics 三強承接坯料成成品。(4) 破口（絃外之音）——中系路維光電/清溢光電只能做 FPD 與中低階半導體光罩、EUV 坯料全面落後無替代；真正風險不是被追上，而是 High-NA 世代坯料缺陷率若卡關、二家任一斷供即癱瘓全球先進微影。EUV pellicle 由三井化學（ASML 授權、全球首家量產）獨家，信越/韓 S&S Tech 補（三家 ~70–80%），三井下世代 CNT pellicle 攻 600W+ 高功率。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
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| [JP] Hoya (7741.T) | EUV 坯料 領導級(>75% by volume，與 AGC 二家 ~93%) | 領導/單一來源級：EUV 光罩坯料以量計 >75%、技術資格最領先，與 AGC 二家壟斷 ~93%（惟 Intel Market Research 以營收計 AGC >59%、Hoya 居首與否有爭議）；供 TSMC/三星/Intel 及三大商售光罩廠，多層膜低缺陷坯料是 EUV 微影最上游雙咽喉之一 |
| [JP] 三井化學 Mitsui Chemicals (4183.T) | EUV pellicle 獨家量產 | 全球首家、CNT 攻 600W |
| [JP] Toppan / DNP / Photronics (7911.T / 7912.T / PLAB) | 商售光罩三強 | 商售(非 IDM 自製)高階光罩三強、承接 Hoya/AGC 坯料成成品光罩供 fab；EUV 光罩製作與缺陷檢測門檻高，Photronics 為美系、供成熟至先進節點 |
| [JP] 信越 / AGC (4063.T / 5201.T) | DUV 坯料/EUV 坯料二家 | 信越供 DUV 光罩坯料與合成石英基板、AGC 為 EUV 坯料 Hoya 外唯一第二來源；二家撐起 EUV 坯料雙供格局，石英基板平整度與低缺陷為坯料製作前提 |
| [CN] 路維光電 / 清溢光電 (688401.SS / 688138.SS) | 中低階本土 | 中系商售光罩國產替代、路維/清溢供 FPD 與中低階半導體光罩給中芯/華虹；填補成熟節點本土供給,惟 EUV/先進 DUV 光罩與坯料仍全面落後日系 |
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EMC / 底填 / NCF EMC · Underfill · NCF
封裝成型材料：環氧封裝材（EMC）、毛細/模封底填（underfill/MUF）、非導電膜（NCF）、ACF。
EMC 日廠主導：住友電木（~18–20%）、Resonac（~10%）、Panasonic 三強約四成；台廠長春供應。底填 Namics(DIC)/Henkel/住友主導；NCF/ACF 由 Dexerials/Toray/Namics 寡占（HBM 堆疊與 CoWoS 關鍵）。AI/HBM 推升高導熱底填與 NCF 需求。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
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| [JP] 住友電木 Sumitomo Bakelite (4203.T) | EMC 全球第一 ~20% | 環氧封裝材(EMC)全球龍頭(~20%)、與 Resonac/Panasonic 前五佔 ~70%；供全球 OSAT/IDM molding，低翹曲/低填料高階配方為 AI 大尺寸封裝門檻 |
| [JP] Resonac / Panasonic (4004.T / 6752.T) | EMC 前三 | 與住友電木併列 EMC 日系前三(合計 ~40%)；Resonac 兼 CCL/CMP/DAF 綜合材料、Panasonic 供高階模封料，配套 AI/HBM 高導熱需求 |
| [JP] Namics(DIC) / Henkel (— / HEN3.DE) | 底填領導 | Namics(DIC 旗下)與德 Henkel 主導模封底填(MUF)/毛細底填，供 CoWoS/HBM 高導熱底填；配方流動性與熱膨脹匹配為關鍵、Namics 未單獨上市 |
| [JP] Dexerials / Toray (4980.T / 3402.T) | NCF/ACF 寡占 | 非導電膜(NCF)/異方性導電膜(ACF)寡占，NCF 是 HBM 多層堆疊與 CoWoS 銅凸塊接合關鍵材料，供三星/海力士/台積電先進封裝 |
| [TW] 長春 Chang Chun (—) | EMC/環氧配套 | 台灣最大環氧樹脂/EMC 一貫廠、垂直整合自製環氧樹脂原料供台系封測與載板廠在地配套，供應鏈自主性高（未上市） |
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PSPI / 銲料 / 電鍍化學 PSPI · Solder · Plating
先進封裝關鍵材料：PSPI/RDL 介電膜、微焊球/銲膏、Cu pillar 電鍍化學、晶圓級液態封裝材（LMC）。
PSPI（感光性聚醯亞胺，RDL 介電）旭化成 PIMEL/Toray/HD MicroSystems 前五 ~71%、2025 缺料無全面替代；微凸塊銲料千住金屬/昇貿/Indium；電鍍化學 MKS Atotech/上村/DuPont；晶圓級液態封裝材台廠長興（TSMC CoWoS LMC）。AI 先進封裝（CoWoS/FOPLP/PLP）拉動 RDL 介電與銅電鍍用量。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
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| [JP] 旭化成 Asahi Kasei / HD MicroSystems (3407.T / —) | PSPI 前五 ~71% | PSPI 近單點、2025 缺料 |
| [JP] Toray 東麗 (3402.T) | PSPI/介電第二源 | RDL 重佈線介電用感光性聚醯亞胺(PSPI)第二來源、與旭化成同列前五(~71%)；供先進封裝重佈線層介電，是旭化成缺料時的關鍵備援 |
| [JP] 千住金屬 / 昇貿 / Indium (5836.T / 3551.TW / —) | 微焊球全球領先 | 千住金屬微焊球/銲膏全球領先、供覆晶與凸塊接合；昇貿為台系銲料材料、Indium(美)專精 preform/高階銲料，銲點可靠度綁定封測良率 |
| [US] MKS Atotech / 上村工業 (MKSI / —) | 電鍍化學龍頭 | MKS 旗下 Atotech 為銅電鍍化學龍頭、上村(日)並列；供先進封裝 RDL/銅柱/TSV 填孔電鍍藥水，AI 封裝銅互連用量放大是成長點(上村未上市) |
| [TW] 長興 Eternal (1717.TW) | LMC 台廠 | TSMC CoWoS LMC |
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載板核心材料 (BT/CCL) Substrate Core (BT/CCL)
封裝載板核心材料：ABF 增層膜、BT 樹脂/prepreg、高速 CCL（覆銅板）、玻璃布。
產業競爭力（4 步）：(1) 位置——三重上游咽喉：味之素 ABF 膜 ~95%(絕對獨佔、全鏈最深單點)、日東紡 T-glass Low-Dk 玻纖布 ~90%(NER ~60-70%)、三井金屬 HVLP 超薄銅箔 ~98%(HVLP2+ ~60%)，三者皆日系近獨大；BT 樹脂三菱瓦斯化學(MGC)主導；高速 CCL 由台光電(領導)/聯茂/Panasonic 主導 AI 伺服器 M8/M9 級。(2) 護城河類型——『配方/材料 know-how＋單一來源＋無合格第二源』：ABF 三十年配方與載板廠共同驗證、換膜等於重驗整片載板；T-glass 拉絲配方與玻纖織造良率極難複製；HVLP 銅箔靠垂直整合精煉＋低粗糙表面處理專利，三者都是『想換也沒得換』。(3) 競爭態勢——幾無實質挑戰者，缺口靠擴產與代工紓解：南亞獲日東紡長約 2027 代工 ~20%、Co-Tech 長華科為 HVLP4 次供，但 Mitsui＋次供未來三年僅滿足 50-60% 需求。(4) 破口（絃外之音）——AI 載板瓶頸已從『矽』下移到『布與膜』，且話語權正被終端奪走：2026/6 Nvidia 越過 CCL 廠直接向上游銅箔(含 Co-Tech)與玻纖布鎖料、改寫供需話語權；ABF Q3 2026 漲 30%(層數升至 11+11/13+13)、日東紡 2026/4 再漲 20-30%(H2 高階玻布缺口 >40%、恐引重複下單)、Resonac 銅箔/CCL 自 2026/3 全面漲 30%+、MGC 載板樹脂同步漲——漲價滿單是護城河兌現，但重複下單造成的假性需求是最大反轉風險。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
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| [JP] 味之素 Ajinomoto (2802.T) | ABF 膜 ~95% | 全鏈最深單點、ABF 膜確定 Q3 2026 漲價 30%（AI 封裝層數升至 11+11/13+13） |
| [JP] 三菱瓦斯化學 MGC (4182.T) | BT 樹脂主導 | BT 載板樹脂(prepreg)全球主導、供高階 FC-BGA/記憶體載板核心料；BT 剛性與低吸濕為載板翹曲控制關鍵，2026 載板樹脂同步漲價、供全球載板廠(欣興/景碩/日系) |
| [TW] 台光電 / 聯茂 (2383.TW / 6213.TW) | 高速 CCL 領導 | 台光電為 AI 伺服器高速 CCL 全球領導、M8/M9 超低損耗材料供 Nvidia GB 系列 PCB;聯茂為第二台廠，AI 主板 CCL 世代升級(Dk/Df 更低)是量價齊揚驅動 |
| [JP] 日東紡 Nittobo / Panasonic (3110.T / 6752.T) | T-glass ~90% / NER 60-70% | 日東紡 2026/4 再漲 20-30%、H2 2026 高階玻璃布供給缺口估 >40%（恐引重複下單）、新產能最快 2027 年中；南亞獲長約 2027 年代工 ~20% |
| [JP] 三井金屬 / Co-Tech 長華科 (5706.T / 4426.TW) | 超薄銅箔 ~98% / HVLP4 次供 | 三井超薄銅箔近獨家(~98%、HVLP2+ ~60%)；2026/6 Nvidia 越過 CCL 廠直接向 Co-Tech 鎖料、HVLP4 2026 缺口 ~1,500 噸 |
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切割膠帶 / 引線 / 散熱介面 Dicing Tape · Wire · TIM
封裝耗材：晶圓切割/貼膜膠帶（DAF/dicing tape）、打線金/銅線、晶片黏著、散熱介面材（TIM）、暫時鍵合膠。
切割/DAF 膠帶日東電工（Nitto）/古河/Lintec 主導；打線材田中貴金屬/賀利氏（金線/銅線）；DAF 日立化成(Resonac)/Henkel；TIM Henkel/信越/Dow；暫時鍵合膠 Brewer Science。屬量大穩定耗材，台廠多為代理/二次加工。AI 封裝推升高導熱 TIM 與低翹曲 DAF。
| 公司 | 市佔／地位 | 角色 |
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| [JP] 日東電工 Nitto (6988.T) | 晶圓膠帶領導 | 與三井化學/Lintec 三家佔晶圓膠帶 ~82.5%；供 stealth/雷射/電漿切割與背磨保護膜給全球 OSAT，薄晶圓(<50µm)低翹曲貼膜為先進封裝配套 |
| [JP] 田中貴金屬 / 賀利氏 Heraeus (— / —) | 金線 ~40% 全球第一 | 田中貴金屬金打線材全球第一(~40%)、含銅/鋁線整體世界最大，德 Heraeus 併列前二；供全球封測打線，高純金/低成本銅線隨金價漲切換(兩者皆未上市) |
| [JP] Resonac / Henkel (4004.T / HEN3.DE) | DAF/TIM 領導 | Resonac(原日立化成)為黏晶膜(DAF)主力、德 Henkel 為散熱介面(TIM)龍頭；供 AI 封裝低翹曲 DAF 與高導熱 TIM，堆疊晶片與散熱良率關鍵 |
| [JP] 信越 / Dow / Brewer Science (4063.T / DOW / —) | TIM/暫時鍵合膠 | 信越/Dow 供高導熱矽膠 TIM、美 Brewer Science 為暫時鍵合膠(晶圓薄化載板暫貼/解貼)近寡占，供先進封裝與 3D 堆疊薄化流程(Brewer 未上市) |
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