半導體供應鏈互動地圖

HBM 高頻寬記憶體供應鏈

High Bandwidth Memory — 堆疊 DRAM 緊鄰 AI GPU/ASIC，是 AI 算力與 CoWoS 的共同瓶頸。三強寡占；2026 Q1 SK hynix 全球首批 HBM4 量產（Nvidia Rubin ~70% 配額）、Micron 2026 Q1 已 HVM 出貨 HBM4 36GB 12H、Samsung HBM3E 12H 2025/9 通過 Nvidia 認證+2026/2 HBM4 全球首發 MP。HBM4 邏輯基底晶片改由台積電 N3 生產（Samsung 仍自家 4nm）。需求 2026 +70%、三家售罄。

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EUV / DUV 微影 EUV / DUV Litho

DRAM 微縮所需的 EUV/DUV 微影。1c nm 世代 DRAM 導入多層 EUV。

ASML 100% 獨佔 EUV，High-NA（EXE:5200B, NA0.55）首裝 SK Hynix；DRAM 微縮唯一微影供應商，是 HBM 上游最深鎖喉點。

公司市佔／地位角色
[EU] ASML (ASML)EUV 100%DRAM 微縮唯一微影

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DRAM 前段設備 DRAM Front-end (Etch/Depo/CMP)

DRAM 晶圓的蝕刻、沉積、CMP、塗佈顯影、製程控制設備。

AMAT+Lam+TEL 控蝕刻 ~75%，TEL 塗佈顯影近獨佔（88–90%）；KLA 製程控制、Ebara CMP/電鍍。

公司市佔／地位角色
[US] Applied Materials (AMAT)蝕刻 ~32%前段全製程核心
[US] Lam Research (LRCX)蝕刻 ~28%TSV 深蝕刻
[JP] Tokyo Electron (8035.T)塗顯 88–90%EUV 配套塗顯獨佔
[US] KLA / Ebara (KLAC / 6361.T)製程控制/CMP良率/平坦化

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TSV / 減薄 / 切割 TSV · Thinning · Dicing

DRAM 晶粒的 TSV 矽穿孔、晶圓減薄（~30µm）與切割，是 HBM 堆疊高度的物理瓶頸。

Disco 在減薄/切割近乎獨佔（所有 HBM 廠採用），是打通 775µm 封裝限高的關鍵；Lam 主導 TSV 深矽蝕刻。

公司市佔／地位角色
[JP] Disco (6146.T)減薄/切割近獨佔突破限高瓶頸
[US] Lam Research (LRCX)TSV 蝕刻TSV 製程主力
[KR] EO Technics (039030.KQ)雷射切割★HBM4 20–30µm 超薄晶圓由刀片轉雷射

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TC 熱壓鍵合設備 TC Bonder

晶粒逐層熱壓鍵合（TC-NCF）所需的 TC bonder，是 HBM 堆疊核心設備。

HBM TC bonder 集中度下降（2026 Q1 起）：Hanmi 歷史 71% 因 SK hynix 將 HBM4 訂單分流給 ASMPT（7 台 dual-head、~KRW 30B，2025/11 簽約），2026 Hanmi 在 SK 占比預估降至 20–30%；Hanmi 2026 Q1 營收 −65.5% YoY、營業利益 −87.9% YoY（bonder 銷售僅 40 億韓元、年減 96.6%）；Q2 2026 TCB 全面反彈，分析師預估 Q2 營收 2,276 億韓元（季增 +347%）、OPM 48.5%；SEMES（三星 captive）、Micron HBM4 改採 BESI。

公司市佔／地位角色
[KR] Hanmi Semiconductor (042700.KS)HBM TCB 71.2%SK 海力士主供（歷史獨家已被稀釋）
[KR] SEMES (—)HBM TCB 13.1%三星 captive、未上市
[SG] ASMPT (0522.HK)HBM TCB 5.6%SK 海力士 HBM4 部分訂單
[JP] Yamaha/Shinkawa (7272.T)HBM TCB 5.6%Shinkawa；三星已停用
[EU] BESI / Hanwha 精機 (BESI.AS / 489790.KS)Micron HBM4 / 訴訟中Micron HBM4 改 BESI；Hanwha 訴訟持續中；ASMPT 7 台 dual-head 已交付 SK hynix HBM4 量產線；目前 SK hynix HBM4 TCB ~50 台中 ASMPT 約佔半數；M15X 擴產 ~100 台採購持續推進；目前 SK hynix HBM4 TCB ~50 台中 ASMPT 約佔半數；M15X 擴產 ~100 台採購持續推進

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混合鍵合設備 Hybrid Bonding

銅對銅無凸塊（bumpless）混合鍵合，為 HBM4/未來世代關鍵，尚無量產主導者。

BESI（die-to-wafer，與 AMAT 合作）領導、EVG（W2W）老牌。⚠ HBM4 業界確認仍走 microbump（JEDEC）；全面混合鍵合延至 HBM4E/2027+。BESI Q1 2026 hybrid bonder 訂單季增 +104.5% 創歷史新高、客戶數達 20 家；HBM4E 客戶評估進入 order 轉換、若順利 2027 HBM4E 可進入主流量產；hybrid bonder 市場預估 2028 達 $2B。

公司市佔／地位角色
[EU] BESI (BESI.AS)D2W 領導用於 HBM4/4E 試產
[AT] EV Group (—)W2W 老牌量產級 W2W
[US] Applied Materials (AMAT)整合製程整合式 hybrid bonding

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測試 / 探針卡 / 測試座 ATE · Probe Card · Socket

HBM 晶圓級與成品測試（ATE）、探針卡與測試座；台廠封測代工。

Advantest+Teradyne 合佔 ATE ~95%（Advantest 記憶體測試龍頭）；探針卡 FormFactor/Technoprobe 領先，台廠旺矽/中華精測/穎崴；韓系測試座 ISC/Leeno；台廠力成/京元電封測代工。

公司市佔／地位角色
[JP] Advantest (6857.T)記憶體 ATE 龍頭ATE 界 ASML
[US] Teradyne (TER)ATE 雙雄(~95%)HBM/邏輯測試
[US] FormFactor / 旺矽 (FORM / 6223.TWO)探針卡領先/台廠測試介面
[KR] DI Corp / UniTest / Techwing (003160.KS / 086390.KQ / 089030.KQ)韓系後段測試DI Corp HBM4 wafer tester 準單點
[KR] ISC / Leeno (095340.KQ / 058470.KQ)測試座領導貼近 Samsung/SK Hynix
[TW] 力成 PTI / 京元電 KYEC (6239.TW / 2449.TW)封測代工記憶體封測台廠

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reflow / 退火 / 翹曲控制 Reflow · Anneal · Warpage

HBM 堆疊的 mass reflow（hMR）、descum、雷射退火與翹曲控制；SK Hynix HBM4 改 heated mass reflow。

PSK Holdings（reflow+descum，唯一供 SK/三星/Micron 三強的韓廠、準單點）；DIT（雷射退火，HBM3E 起導入修補缺陷、避翹曲，優於 RTA）。HBM4 結構轉移使此環節重要性升高。

公司市佔／地位角色
[KR] PSK Holdings (031980.KQ)唯一供三強準單點
[KR] DIT (110990.KQ)雷射退火HBM3E 起導入、避翹曲

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HBM DRAM 晶粒製造 HBM DRAM Die

HBM 的核心 DRAM 晶粒製造（cell array + TSV），製程節點 1b/1c/1γ nm，部分世代導入 EUV。

由 SK Hynix、Samsung、Micron 三家 IDM 自製，前三家近 100%。製程節點與 EUV 採用、TSV 良率決定 HBM 容量與頻寬。

公司市佔／地位角色
[KR] SK Hynix (000660.KS)領先HBM3E 12-hi/HBM4 16-hi
[KR] Samsung (005930.KS)第二垂直整合
[US] Micron (MU)第三美系唯一

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邏輯基底晶片 Base Die Logic Base Die (HBM4)

HBM4 把最底層 base die 從記憶體製程升級為邏輯製程晶片，控制 I/O 與邏輯，是純記憶體供應鏈史上最大結構轉移。

SK Hynix（N12）與 Micron（HBM4 base die 自製 CMOS、HBM4E 起改用台積電）（NVIDIA/Google 客製走 N3），創意（GUC）提供 C-HBM4E 客製設計入口；Samsung 自製 4nm base die 避開對台積電依賴。把台積電從「CoWoS 整合者」延伸成「HBM 本體新鎖喉」。

公司市佔／地位角色
[TW] TSMC 台積電 (2330.TW)HBM4 base die 主導SK Hynix/Micron/NVIDIA
[TW] 創意 GUC (3443.TW)客製設計入口台積電生態系
[KR] Samsung Foundry (005930.KS)唯一自製垂直整合避依賴

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晶粒堆疊與鍵合方式 Die Stacking & Bonding

把 DRAM 晶粒與 base die 垂直堆疊鍵合：MR-MUF（一次回流模封底填，散熱佳）/ TC-NCF（逐層熱壓非導電膜）/ 混合鍵合（bumpless Cu-Cu，未來）。方法決定材料設備鏈。

SK Hynix = Advanced MR-MUF（綁 Namics 樹脂 + Resonac/住友 EMC）；Micron/Samsung = TC-NCF（綁 Resonac NCF）；Samsung HBM4 押注混合鍵合（早期良率約 10%，綁 BESI/AMAT/Hanwha 設備）。方法決定誰買哪家材料/設備。

公司市佔／地位角色
[KR] SK Hynix (MR-MUF) (000660.KS)MR-MUF 路線散熱佳、綁 Namics
[US] Micron / Samsung (TC-NCF) (MU / 005930.KS)TC-NCF 路線綁 Resonac NCF
[KR] Samsung (Hybrid, 規劃中) (005930.KS)混合鍵合驗證HBM4 仍 microbump、混合鍵合延至 HBM5+

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HBM 成品（三強市佔） HBM Product

完成堆疊封測的 HBM 成品（HBM3E 12-hi / HBM4 16-hi），按容量/頻寬分級，賣給 AI 加速器廠。

三強寡占且供不應求：SK Hynix（1Q26 約 50–62%，NVIDIA 主力）領先、Samsung（Vera Rubin ~30%（初期 mid-20%），垂直整合追趕）、Micron（VR200 HBM4 遭排除、供 LPDDR5X；HBM4 HVM 出貨中、另接非 VR200 設計）。需求 2025 +130%、2026 +70% 且售罄；Micron 2026 HBM4 全年產能已綁定長約（含首份五年合約）；Micron HBM4 爬坡速度達 HBM3E 兩倍、16-hi（48GB）已送樣；Samsung 罷工 5/20 取消不影響生產。⚠ 市佔依季度/口徑差異大；Rubin 出貨時程存在 CoWoS 良率風險。

公司市佔／地位角色
[KR] SK Hynix (000660.KS)1Q26 ~50–62%NVIDIA 主供、技術領導
[KR] Samsung (005930.KS)Vera Rubin ~30%（初期 mid-20%）唯一 foundry+memory+封裝整合
[US] Micron (MU)5–20%美系唯一、押架構創新

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AI 加速器 / 終端需求 AI Accelerators (Demand)

HBM 最終客戶：AI GPU/ASIC，HBM 與 CoWoS 同步售罄；NVIDIA 對三家有優先分配權。

NVIDIA 主導 >60% HBM 消耗（Rubin 用 HBM4E）、佔台積電 CoWoS >70%；AMD（MI400 用 HBM4）、Broadcom（Google TPU/Meta ASIC，帶動 HBM +80%）、Google/AWS 自研 ASIC 跟進。HBM 裝在 CoWoS 中介層上，與先進封裝產能連動。

公司市佔／地位角色
[US] NVIDIA (NVDA)HBM >60% 消耗需求節奏定義者
[US] AMD (AMD)第二大買家HBM4 延遲壓出貨
[US] Broadcom (AVGO)ASIC HBM 整合ASIC 帶動 HBM +80%
[US] Google / AWS (GOOGL / AMZN)自研 ASIC雲端自研需求

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矽晶圓 Silicon Wafer

製作 DRAM 晶粒所需的 300mm 矽晶圓。

五大廠控 300mm ~85%（信越+SUMCO ~54%）；SK Siltron 與 SK Hynix 同集團，提供在地晶圓。

公司市佔／地位角色
[JP] 信越 Shin-Etsu (4063.T)全球第一龍頭
[JP] SUMCO (3436.T)全球第二雙雄
[KR] SK Siltron (—)韓系龍頭SK Hynix 同集團
[TW] 環球晶 / Siltronic (6488.TWO / WAF.DE)第三/第四前五 ~85%

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特用化學 / 光阻 / Slurry Chemicals · Photoresist · Slurry

DRAM 製程的光阻、蝕刻液、清洗劑、CMP slurry、前驅物。

光阻日系四強約 76%（TOK/JSR/信越/Fujifilm）；韓系在地化高成長：Soulbrain（HBM CMP slurry 對 Samsung+SK Hynix 雙獨家、etchant、前驅物）、Dongjin（光阻/slurry）。

公司市佔／地位角色
[KR] Soulbrain (036830.KQ)HBM slurry 雙獨家韓系特化龍頭
[KR] Dongjin Semichem (005290.KQ)韓系光阻/slurrySK Hynix 多元化
[JP] TOK / JSR / Merck (4186.T / — / MRK.DE)光阻四強 ~76%JSR 已 JIC 私有化下市
[KR] DNF / Hansol / DS Techopia (092070.KQ / 014680.KS / —)韓系前驅物DNF 三星佔營收 >90%、HCDS 在地化核心

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MR-MUF / Underfill 材料 MR-MUF / Underfill

MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）一次回流模封底填樹脂，是 SK Hynix 堆疊路線的關鍵材料。

Namics（DIC 集團）為 SK Hynix MR-MUF 樹脂主力供應、共同開發，壁壘極高；但非絕對獨家——Samsung 已公開洽購 Nagase（8012.T）MUF 料並與自研 SDI（006400.KS）並進。仍為 HBM 鏈最關鍵材料咽喉之一；Henkel 為 underfill/NCF 替代。

公司市佔／地位角色
[JP] Namics (DIC) (4631.T)SK Hynix 獨家HBM 鏈最關鍵單點
[JP] Nagase ChemteX / Samsung SDI (8012.T / 006400.KS)MUF 第二源/自研★打破 Namics「獨家」：SK Hynix 第二源、Samsung 在地化
[EU] Henkel (HEN3.DE)替代供應替代供應商

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NCF 非導電膜 Non-Conductive Film

TC-NCF 路線（Samsung/Micron）逐層熱壓所需的非導電膜底填材料。

Resonac（昭和電工）為 NCF 全球龍頭（Goi 廠擴產 3.5–5×），積水、東麗供應；是 TC-NCF 路線核心材料。

公司市佔／地位角色
[JP] Resonac 昭和電工 (4004.T)NCF 全球龍頭TC-NCF 核心
[JP] Sekisui 積水 / Toray 東麗 (4204.T / 3402.T)供應生態薄膜材料

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EMC 封裝材 Epoxy Molding Compound

HBM 模封與散熱所需的環氧封裝材（含 MR-MUF 模封料）。

日系三家（住友電木/Resonac/Panasonic）合佔 EMC ~40%；Resonac 高導熱 EMC 用於 Advanced MR-MUF（散熱~1.6×）。

公司市佔／地位角色
[JP] 住友電木 Sumitomo Bakelite (4203.T)全球龍頭IC 封裝料領導
[JP] Resonac (4004.T)三強之一散熱 ~1.6×
[JP] Panasonic (6752.T)三強之一EMC 寡占

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HBM Controller / PHY IP HBM Controller / PHY IP

GPU/ASIC 端的 HBM 記憶體控制器與實體層（PHY）IP，決定主機端如何驅動 HBM。

Synopsys（HBM4 controller/PHY IP 領導、全球首顆 HBM4 IP 測試晶片）、Cadence（HBM4E PHY 12.8GT/s）、Rambus（HBM4E controller 16GT/s）主導，整合在 GPU/ASIC 端。

公司市佔／地位角色
[US] Synopsys (SNPS)HBM4 IP 領導首顆 HBM4 IP 測試晶片
[US] Cadence (CDNS)HBM4E PHYIP 業務 +22%
[US] Rambus (RMBS)controller IPC-HBM4E 支援
[US] Marvell / Alphawave(→QCOM) / Eliyan (MRVL / (QCOM) / —)custom HBM 陣營HBM4E custom HBM 主軸；Alphawave 2025/12 已併入 Qualcomm

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微凸塊 / 焊球材料 Microbump · Solder Ball

HBM 晶粒間互連的微焊球（MSB）、Cu pillar 與 flux 助焊材；HBM4 焊球縮至 ~10µm 使專屬性升高。

Duksan Hi-Metal 微焊球全球 ~70% 近乎單點；MK Electron（全球焊球 #3、HBM 低溫燒結焊球）、千住金屬（flux 助焊）。HBM4 ~10µm 化提升門檻（原檔曾誤判此類專屬性低）。

公司市佔／地位角色
[KR] Duksan Hi-Metal (077360.KQ)微焊球 ~70%近乎單點
[KR] MK Electron (033160.KQ)焊球 #3<150°C、多層熱預算關鍵
[JP] 千住金屬 Senju (—)flux 老牌日系 flux

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