CoWoS 先進封裝供應鏈
Chip-on-Wafer-on-Substrate — TSMC 主導的 2.5D 先進封裝,是 AI 加速器最關鍵的產能瓶頸。本版補齊先前漏掉的台日韓封裝設備生態(濕製程、暫時鍵合、點膠、固化、雷射、檢測、自動化、廠務、耗材、特化、載具)。獨佔/客戶獨家單點:台積電(中介層+CoW)、味之素 ABF 膜、Disco 切割、家登 EUV 光罩盒、弘塑 SoIC 濕清洗、新應材 Rinse。
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蝕刻 / 沉積設備 Etch · Deposition
中介層與 TSV 的深矽蝕刻(DRIE Bosch)、介電/阻障/晶種沉積設備。
Lam 為蝕刻整體龍頭(~50%、先進節點/導體蝕刻 >80%)、AMAT 介電蝕刻+沉積龍頭、東京威力第三;三家 ~75–90%。中國 Naura/AMEC 各約 5% 快速崛起(本土替代)。
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微影設備 Lithography
中介層 RDL 重佈線與凸塊層曝光。先進封裝佔微影設備市場約 37%(2025)。
前段 EUV 由 ASML 獨佔;封裝專用微影 ASML 2025 以 i-line 高產能機台切入,Canon、Nikon 在封裝 stepper 仍有份額。
| 公司 | 市佔/地位 | 角色 |
|---|
| [EU] ASML (ASML) | 封裝微影新進者 | 前段 EUV 獨佔 |
| [JP] Canon (7751.T) | 封裝 stepper 主力 | RDL 曝光 |
| [JP] Nikon (7731.T) | 封裝 stepper | 凸塊/RDL 微影 |
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CMP / 電鍍設備 CMP · Plating
中介層平坦化(CMP)與 TSV 銅填充電鍍設備。
CMP 由 AMAT 與荏原(Ebara)雙雄主導;TSV 銅電鍍較分散,中國 ACM Research 推本土替代。
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切割 / 研磨設備 Dicing · Grinding
晶圓減薄、研磨與切割設備,是大尺寸 CoWoS 晶圓良率的關鍵與單點瓶頸。
Disco 在精密切割/研磨/拋光近乎獨佔(估 >70–80%),Accretech 第二,中國大族雷射以雷射切割切入。
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濕製程清洗 / 去膠 Wet Clean · PR Strip
晶圓單片/槽式清洗、濕蝕刻、去光阻(PR strip)。CoWoS/SoIC 製程的關鍵濕製程環節。
全球單片清洗由 SCREEN(~42%)/TEL/Lam 三家 >90%;但台積電封裝端由【弘塑】單點掌控——CoWoS 濕清洗約 50%、ASE/SPIL 近 100%、且為【台積電 SoIC 濕清洗獨家供應商】,是被市佔視角埋沒的客戶獨家咽喉。
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TCB 熱壓鍵合 TCB Bonder
熱壓鍵合(TCB)設備,將晶片接合至中介層、並用於 HBM 堆疊。
HBM TC bonder 高度集中(2025Q3 累計營收):Hanmi 71.2%、SEMES 13.1%、ASMPT 5.6%、Yamaha/Shinkawa 5.6%;ASMPT「~26%」為整體 TCB(含 CoW chip-to-substrate)口徑。Hanwha bonders 目前未被採用、與 Hanmi 專利訴訟中;Micron HBM4 改採 BESI 獨供。
| 公司 | 市佔/地位 | 角色 |
|---|
| [KR] Hanmi Semiconductor (042700.KS) | HBM TCB 71.2% | SK 海力士主供(歷史獨家已被稀釋) |
| [KR] SEMES (—) | HBM TCB 13.1% | 三星 captive、未上市 |
| [SG] ASMPT (0522.HK) | 整體 TCB ~26%/HBM 5.6% | CoW + SK 海力士 HBM4 部分 |
| [JP] Yamaha/Shinkawa / K&S (7272.T / KLIC) | HBM 5.6%/長尾 | Shinkawa 被三星停用;K&S 切入 |
| [EU] BESI / Hanwha 精機 (BESI.AS / 489790.KS) | Micron HBM4 獨供 / 訴訟中 | Micron HBM4 改 BESI;Hanwha 未採用、訴訟未定 |
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混合鍵合 Hybrid Bonding
銅對銅直接鍵合設備,為下世代更高密度 CoW 與 HBM4 關鍵,高速成長且集中。
BESI 領導(AMAT 2025 入股 ~9% 結盟),EVG/SUSS 主導 W2W,中國通富以 IP 萌芽。
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暫時鍵合 / 解鍵合 Temp Bond / Debond
薄晶圓搬運所需的暫時鍵合與雷射/機械解鍵合,CoWoS/CoPoS 薄化與玻璃載板關鍵。
EVG+SUSS 雙寡占設備端;台廠辛耘以與 3M 合作的 Pyxis 系列+自製切入,均豪做貼合周邊。
| 公司 | 市佔/地位 | 角色 |
|---|
| [AT] EV Group (—) | 全球領導 | 首個 HVM 解鍵合 |
| [DE] SUSS MicroTec (SMHN.DE) | 全球第二 | 第二梯隊 |
| [TW] 辛耘 Scientech (3583.TW) | 台廠代表 | CoPoS 薄化關鍵 |
| [US] Brewer Science (—) | 材料 | 與 EVG 商業化 |
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點膠 / 底填 Dispense · Underfill
晶片底部填充(underfill)點膠與散熱片壓合;材料端為底填膠。
設備端 Nordson 全球龍頭、台廠萬潤一站式(且為 TSMC 部分關鍵機種獨家);材料端 Namics/Henkel/住友主導。
| 公司 | 市佔/地位 | 角色 |
|---|
| [TW] 萬潤 Wan Run (6187.TWO) | TSMC 部分機種獨家 | CoWoS 點膠一站式台廠 |
| [US] Nordson ASYMTEK (NDSN) | 全球龍頭 | 點膠設備龍頭 |
| [JP] Namics (DIC) (—) | 底填膠領導 | 底填膠龍頭 |
| [DE] Henkel (HEN3.DE) | 黏著劑第一 | 底填材料龍頭 |
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壓合 / 固化 / 烘烤 Lamination · Curing · Oven
貼膜/壓膜、固化烘烤爐(oven)、Carrier Bonder 等熱處理製程。
台廠熱處理三雄志聖/群翊/科嶠分食先進封裝烘烤固化;志聖半導體佔營收約 30%、群翊高階接單佔 75%。
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雷射加工 / TGV Laser · TGV
雷射開槽、鑽孔、玻璃穿孔(TGV)、雷射解鍵合;隨 CoPoS(玻璃基板由圓轉方)需求爆發。TSMC CoPoS 試產線預計 2026/6 完工(TrendForce 2026/4)、310×310mm 進度確認(SCHMID 2026/5)、HVM 目標 2028–29。TSMC CoPoS 試產線預計 2026/6 完工(TrendForce 2026/4)、310×310mm 進度確認(SCHMID 2026/5)、HVM 目標 2028–29。
DISCO 為切割/雷射全球龍頭;台廠鈦昇以 TGV(8000 孔/秒)切入台積電 CoPoS,是少數 TGV 鑽孔+雷射解鍵合+電漿清洗一站式者,屬高速成長新戰場。
| 公司 | 市佔/地位 | 角色 |
|---|
| [TW] 鈦昇 TYC (8027.TWO) | TGV 領先台廠 | 切入 TSMC CoPoS |
| [JP] DISCO (6146.T) | 切割/雷射龍頭 | 全球龍頭 |
| [KR] EO Technics (039030.KQ) | 韓系 | CoWoS 連結待證 |
| [CN] 大族雷射 (002008.SZ) | 中國龍頭 | CoWoS 連結待證 |
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量測 / AOI 檢測 / 測試 Metrology · AOI · Test
中介層/RDL/凸塊量測、封裝外觀 AOI、成品測試與探針卡。
前段量測 KLA/Onto/Camtek 主導;台廠由田/牧德(PCB AOI 轉戰)做封裝黃光 AOI、致茂為 TSMC CoWoS-L RDL 測試重要供應商;探針卡 FormFactor/旺矽。
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自動化・物流・廠務 Automation · AMHS · Facility
晶圓/晶粒分選、晶粒貼合、OHT 天車與整廠物流(AMHS),以及無塵室機電統包與水氣化學供應。
分選/貼合台廠均華主導(先進封裝佔營收 85%),盟立曾擠掉日商成 TSMC AMHS 供應商、迅得補齊 OHT;無塵室機電由漢唐/亞翔/聖暉/帆宣/洋基「廠務五雄」寡占統包。
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TSV 矽穿孔製程 Through-Silicon Via
在矽中介層上製作銅填充垂直穿孔:微影→DRIE 蝕刻→SiO₂ 襯墊→銅 ECD 填充→CMP。
TSV 整合製程綁在台積電 CoWoS 流程內近乎獨佔,所需蝕刻/電鍍/CMP 設備由 Lam、AMAT、Ebara 寡占供應。
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矽中介層 / RDL / LSI Si Interposer · RDL · LSI
邏輯晶片與 HBM 之間的高密度互連橋樑:CoWoS-S 全矽、CoWoS-R 有機 RDL、CoWoS-L 局部矽橋(LSI)+RDL。
高階矽中介層與 CoWoS-L 的 LSI 製程綁定台積電,技術與良率門檻使其近乎獨佔,是整條 AI 鏈最關鍵鎖喉點;2025 Nvidia 鎖定約 60% 整體 CoWoS 產能(CoWoS-L 占比更高)。
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CoW 晶圓接合 Chip-on-Wafer
將 GPU/ASIC 晶粒與 HBM 鍵合至矽中介層晶圓上,形成完整運算模組。
台積電 CoWoS 一條龍主導;月產能 2023 ~1.3 萬→2024 ~3.5–4 萬→2025 ~7.5 萬→2026 年底 ~12.7 萬片(Tiger Brokers/itiger 引 TSMC 法說)→2027 持續成長、仍供不應求(2026/4 TSMC Q1 法說 C.C. Wei;capex 拉至 $52–56B 上限)。委外 Amkor(18–19 萬片/年含 Nvidia 8 萬)、矽品(6–8 萬片/年)。
| 公司 | 市佔/地位 | 角色 |
|---|
| [TW] TSMC 台積電 (2330.TW) | 主導製造 | CoWoS 核心接合節點 |
| [US] Amkor (AMKR) | 最大委外夥伴 | 含 Nvidia 8 萬片 |
| [TW] SPIL 矽品 (—) | 委外承接 | ★ASE 旗下、2018 下市無獨立代號(非 3711.TW) |
| [KR] Samsung (005930.KS) | 自有 | captive |
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WoS 載板接合 Wafer-on-Substrate
將切割後的 CoW 模組接合到 ABF 封裝載板上,完成電源/訊號輸出與機械支撐。
台積電主導,ASE(CoWoP 類 CoWoS)與 Amkor 承接委外;CoWoS-L/S 自 2025 底全數 booked,OSAT 以 CoWoS-like 補位。
| 公司 | 市佔/地位 | 角色 |
|---|
| [TW] TSMC 台積電 (2330.TW) | 主導 | 後段接合主導 |
| [TW] ASE 日月光 (3711.TW) | OSAT 領導 | 2026 LEAP 目標上修至 $3.5B+(2026/4 Q1 法說;原估 $3.2B)、AI 產品抹平傳統季節性、利用率維高 |
| [US] Amkor (AMKR) | 委外 | WoS 委外 |
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OSAT 封裝測試 OSAT Assembly & Test
後段最終組裝、植球、測試與良率篩選;既協助台積電外包 CoW,也負責成品測試與出貨。
傳統 OSAT 為成熟紅海、價格競爭激烈;但 CoWoS 認證資格(Nvidia/台積電)形成少數廠商護城河,AI 先進封裝為高成長。2024 市佔:Amkor 15.2%、JCET 12%、通富 8%、力成 5.5%。
| 公司 | 市佔/地位 | 角色 |
|---|
| [TW] ASE 日月光 (3711.TW) | 全球龍頭 | AI 先進封裝最大台廠 |
| [US] Amkor (AMKR) | ~15.2% | TSMC 最大委外夥伴;Arizona Phase 1 鋼構施工中、完工 2027、HVM 2028 啟動、2029 全速(2026/4 Q1 法說;10-Q 2026-03-31);capex 2026 $2.5–3.0B;完工後帶來 1–2% 營業利益率逆風至 2028 |
| [CN] JCET 長電 / 通富 Tongfu (600584.SS / 002156.SZ) | ~12% / ~8% | 中國前二,AMD 夥伴 |
| [TW] 力成 PTI / 京元電 KYEC (6239.TW / 2449.TW) | ~5.5% / 測試 | 記憶體與測試主力;力成 FOPLP 投資 NT$433 億、HVM 目標 1H27、H2 2026 起月貢獻 ~$10M;AMD Zen 7 評估中(2026/5 TrendForce) |
| [TW] 頎邦 Chipbond / 福懋科 (6147.TWO / 8131.TWO) | 金凸塊龍頭 | 頎邦金凸塊近寡占(單點) |
| [CN] 華天 Huatian / 南茂 ChipMOS (002185.SZ / 8150.TW) | 中國 Big-3 #3 / 利基 | 中國第三大 OSAT;補列 |
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AI 加速器 / 終端需求 AI Accelerators (Demand)
CoWoS 最終客戶:AI GPU、自研 ASIC 與雲端服務商。需求遠超供給,是 TSMC 擴產核心動力。
Nvidia 約占 AI 加速器營收 80–90%、近乎獨佔且鎖定約 60% CoWoS 配額;Broadcom(Google TPU/Meta)、AMD、Marvell(AWS/微軟)等自研 ASIC 成長更快、分食市場。
| 公司 | 市佔/地位 | 角色 |
|---|
| [US] Nvidia (NVDA) | 營收 ~80–90% | 鎖 ~60% CoWoS 配額 |
| [US] Broadcom (AVGO) | AI ASIC 60–80% | CoWoS 2026 ~24 萬片/年(240,000 wafers,彭博/Tiger 最新估計;2025 估 ~15 萬片 15% 為舊數) |
| [US] AMD (AMD) | GPU 第二 | ~11% |
| [US] Marvell / Google / AWS / MS (MRVL / GOOGL / AMZN / MSFT) | 自研 ASIC | 雲端自研晶片 |
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矽晶圓 Silicon Wafer
製作矽中介層所需的 12 吋(300mm)矽晶圓。
前五大約占 82%、300mm 佔約 75% 價值:信越、SUMCO、環球晶、Siltronic、SK Siltron。
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CMP 耗材 (slurry/pad) CMP Slurry · Pad
化學機械研磨的研磨液(slurry)與研磨墊(pad)及鑽石碟,是中介層/TSV 平坦化的耗材。
各細分接近獨佔:DuPont CMP pad >70%、Fujifilm 銅 slurry 約 31% 第一、Entegris 整體約 23%;台廠中砂供鑽石碟與再生晶圓。
| 公司 | 市佔/地位 | 角色 |
|---|
| [US] DuPont (DD) | CMP pad >70% | pad 全球絕對龍頭 |
| [JP] Fujifilm EM (4901.T) | Cu slurry ~31% | 銅研磨液第一(≠ Fujimi) |
| [JP] Fujimi (5384.T) | slurry ~18–20% | 研磨材料另一大廠(與 Fujifilm 不同公司) |
| [US] Entegris / CMC (ENTG) | 整體 ~23% | CMP 耗材整合 |
| [TW] 中砂 Kinik (1560.TW) | 台廠 | CMP 耗材台廠 |
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HBM 高頻寬記憶體 HBM Memory
堆疊在中介層上的高頻寬記憶體(HBM3E/HBM4),與 GPU 共同決定 AI 算力。
三強寡占且供不應求:SK 海力士領先(Q4'25 bit ~59%)、美光(~21%)超越三星、三星 Q4'25 ~20%(HBM4 已量產:三星 2026/2 首發、NVIDIA Rubin 配額 SK~70%/三星~30%)。需求 2025 +130%、2026 +70%。⚠ 市佔依季度/bit-vs-營收 口徑差異大。
| 公司 | 市佔/地位 | 角色 |
|---|
| [KR] SK 海力士 (000660.KS) | Q4'25 ~59% | Nvidia 主供 |
| [US] Micron 美光 (MU) | Q4'25 ~21% | 超越三星 |
| [KR] Samsung 三星 (005930.KS) | Q4'25 ~20% | HBM4 2026/2 量產、Rubin ~30% |
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EMC 環氧封裝材 Epoxy Molding Compound
封裝保護用環氧樹脂封裝材(EMC),用於 CoWoS/先進封裝 molding。
日廠主導:住友電木(~18–20%)居首、Resonac(~10%)次之、台灣長春(~4%)供應,前三約占四成。
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ABF 載板 (FC-BGA) ABF Substrate
承載中介層+晶片的高層數有機載板(FC-BGA),連接 PCB;AI 封裝需超大尺寸高層數。
前五大約占 74%、無單一獨大:欣興(~22%)居首,Ibiden(Nvidia 主供)、Shinko、南電、AT&S 次之。
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ABF 增層膜 Ajinomoto Build-up Film
ABF 載板的關鍵絕緣增層介電膜,源自味之素味精化學,幾乎所有高階 CPU/GPU 載板都依賴它。
味之素 ABF 膜市占 95–98%、近乎絕對獨佔,是整條先進封裝鏈最深、最脆弱的單點瓶頸;積水化學份額極小。
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玻璃載板(新興替代) Glass Substrate
以玻璃核心取代 ABF 有機載板的下世代封裝基板,是長期繞過 ABF 獨佔的潛在替代。
尚在試產認證:Absolics(SKC) 美國喬治亞廠完成電訊號驗證,進入良率穩定化,AMD/AWS 送測中,目標 2026 年底全球首條量產;三星電機 Sejong 試線、原型供貨、2027+ HVM;韓國業者推非嵌入式新技術迎接美國客戶需求(2026/5 TrendForce)。
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電子特用化學品 Specialty Chemicals
顯影液、蝕刻液、剝離液、光阻、前驅物等濕製程化學品。
日德廠(TOK/JSR/信越/Merck/BASF)主導先進光阻;但台廠【新應材】握有 TSMC 先進製程 Rinse 獨供(3nm 起、2nm 延續)、三福為 TSMC CoWoS 特化與 TMAH 回收,是客戶獨家單點。
| 公司 | 市佔/地位 | 角色 |
|---|
| [TW] 新應材 AEMC (4749.TWO) | TSMC Rinse 獨供 | 3nm/2nm 獨供,半導體佔營收 >80% |
| [TW] 三福化工 (4755.TWO) | TSMC CoWoS 特化 | TMAH 回收承接三科 |
| [TW] 達興材料 (3686.TWO) | 友達集團 | 剝離/顯影液台廠 |
| [JP] TOK / JSR / Merck (4186.T / 4185.T / MRK.DE) | 全球光阻 | 先進光阻全球大廠 |
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載具 / FOUP / 光罩盒 Carrier · FOUP · EUV Pod
晶圓傳載盒(FOUP)、EUV 光罩傳載盒(pod)與先進封裝載具/過濾耗材。
台廠【家登】EUV 光罩盒全球約 85%、FOUP 約 30%,是被首版完全漏掉的近壟斷單點;Entegris 為載具/過濾全球大廠並在台設廠。CoWoS/CoPoS 載具為新成長引擎。
| 公司 | 市佔/地位 | 角色 |
|---|
| [TW] 家登精密 GUDENG (3680.TWO) | EUV pod ~85%/FOUP ~30% | 光罩盒霸主(首版漏網單點) |
| [US] Entegris (ENTG) | 載具/過濾大廠 | 高雄/新竹設廠 |
| [TW] 中砂 Kinik (1560.TW) | 台廠 | CMP 耗材+再生晶圓 |
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散熱 / 液冷 Thermal · Liquid Cooling
封裝級散熱(lid/IHS/TIM)與系統級液冷(冷板/QD/分歧管);台積電 2026 已把 direct-to-silicon 液冷整合進 CoWoS 平台(CoWoS-R 熱阻 0.055°C/W)。
封裝級:健策(CoWoS/Rubin lid/IHS/MCL/In-TIM,最貼 CoWoS 製程的散熱單點);系統級液冷:奇鋐(GB300 水冷板 ~50%)、雙鴻(水冷板/分歧管)、富世達(QD 快接頭)。AI 剛需、與封裝同步設計。
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設計服務 / chiplet / 3DIC EDA Design Service · Chiplet · EDA
AI ASIC 設計服務(chiplet/UCIe)與封裝 3DIC sign-off EDA,是 TSMC 3DFabric Alliance 生態、決定 CoWoS 客製量。
全球客製 ASIC co-design 由 Broadcom(~60%)、Marvell(~35%)主導;台廠世芯(AWS Trainium 主源)、創意(TSMC 系)、智原為次級設計服務層;封裝 EDA:Synopsys 3DIC Compiler、Cadence Multi-Die(與 TSMC CoWoS 5.5x reticle 認證綁定);UCIe die-to-die IP 晶心。
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封裝關鍵材料(PSPI/靶材/電鍍/銲料/NCF/BT) Key Pkg Materials
先進封裝多個被忽略但關鍵的材料子段:PSPI/RDL 介電、濺鍍靶材、電鍍化學、銲料/微凸塊、MUF/NCF 底填、BT 樹脂/CCL。各子段多為日系/少數廠寡占或近單點。
PSPI(旭化成 PIMEL/Toray/HD MicroSystems,前五 ~71%、2025 缺料);濺鍍靶材(JX/光洋/江豐);電鍍化學(MKS Atotech/上村/DuPont);銲料微凸塊(千住/昇貿/Indium);MUF/NCF(Dexerials/Toray/Namics);BT 樹脂/CCL(三菱瓦斯/台光電)。
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